EEPROM, elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher, ist ein nichtflüchtiger Speicher, der seit den 1970er Jahren eine immer wichtigere Rolle im Bereich der elektronischen Technologie spielt. Das Besondere daran ist, dass es auf einem einzigen Bit gelöscht und neu programmiert werden kann, was es zu einer idealen Lösung für die Speicherung kleiner Datenmengen macht. Mit der Weiterentwicklung der Technologie hat die EEPROM-Technologie in den letzten Jahrzehnten drastische Veränderungen erfahren, aber die Verfolgung ihrer Geschichte ist eine faszinierende Entdeckungsreise.
In den frühen 1970er Jahren begannen viele Unternehmen und Forschungseinrichtungen, in die Erforschung elektrisch umprogrammierbarer nichtflüchtiger Speicher zu investieren. 1971 veröffentlichte eine Gruppe japanischer Forscher auf der dritten Solid-State-Devices-Konferenz in Tokio erste Forschungsergebnisse. Obwohl ihre Bemühungen den Weg für zukünftige Entwicklungen ebneten, basierte die damalige Technologie immer noch auf Kondensatoren, was sich stark vom modernen EEPROM unterschied. Im selben Jahr erhielt IBM auch ein Patent für seinen elektrisch umprogrammierbaren Speicher und startete damit einen Wettbewerb in der Speichertechnologie.
Frühe Speichertechnologien standen vor verschiedenen Herausforderungen wie Datenspeicherung und Zuverlässigkeit des Lösch-/Schreibzyklus.
1974 erfand Siemens erfolgreich das erste EEPROM, das Daten durch den Fowler-Nordheim-Tunneleffekt löschen konnte, und markierte damit die Einführung der modernen EEPROM-Technologie. 1977 erhielt der israelisch-amerikanische Wissenschaftler Eliyahou Harari ein Patent auf der Grundlage des Fowler-Nordheim-Tunneleffekts bei der Hughes Aircraft Company. Diese Technologie verbesserte nicht nur das Design flüchtiger Speicher, sondern führte auch zur kommerziellen Produktion von EEPROM.
Die Forschungsergebnisse von Harari und seinem Team haben in der Branche große Aufmerksamkeit erregt und die nächste Generation des Speicherdesigns vorangetrieben.
Das heutige EEPROM ist weit verbreitet, in eingebettete Mikrocontroller integriert und wird für die Datenspeicheranforderungen verschiedener Produkte verwendet. Im Vergleich zum Flash-Speicher erfordert EEPROM immer noch eine Struktur mit zwei Transistoren, um einzelne Bits zu löschen, während Flash-Speicher einen einzelnen Transistor verwenden kann. Daher hat EEPROM bei bestimmten spezifischen Einsatzzwecken immer noch einen unersetzlichen Status, beispielsweise bei der Produktsicherheit und bei geringen Speicheranforderungen.
Mit dem zunehmenden Bewusstsein für digitale Sicherheit wird die EEPROM-Technologie häufig in Kreditkarten, SIM-Karten, schlüssellosen Zugangsgeräten und anderen Sicherheitsgeräten eingesetzt. Einige dieser Geräte sind zudem mit Kopierschutzmechanismen ausgestattet, um gespeicherte Daten zu schützen. Hinsichtlich der Dateneingabe und -ausgabe kann EEPROM über serielle oder parallele Schnittstellen wie SPI, I²C usw. kommunizieren. Das Design dieser Schnittstellen ermöglicht eine gute Unterstützung verschiedener Geräte hinsichtlich Durchsatz und Kompatibilität.
Die elektrische Schnittstelle und die interne Architektur des EEPROM ermöglichen eine schnelle und effiziente Datenverwaltung.
Obwohl neue nichtflüchtige Speichertechnologien wie FeRAM und MRAM diese in einigen Anwendungsbereichen nach und nach ersetzen, hat EEPROM immer noch seine eigenen proprietären Vorteile. Beispielsweise hält EEPROM stets einen hohen Standard hinsichtlich des Datenumschreibzyklus und der Datenaufbewahrungsdauer ein. Gleichzeitig hat sich Flash-Speicher, der ursprünglich als Ersatz für EEPROM gedacht war, mittlerweile in verschiedenen Märkten zunehmend zur gängigen Wahl entwickelt, insbesondere in Systemen, die große Mengen an nichtflüchtigem Speicher benötigen.
Die rasante Entwicklung der Speichertechnologie ist schwer vorherzusagen und es können jederzeit neue Erfindungen und Innovationen auftauchen. Wie können diese Speichertechnologien in dieser sich ständig weiterentwickelnden Technologiewelle effektiver genutzt und weiterentwickelt werden?