Con el avance de la tecnología, la tecnología de grabado por plasma se ha convertido en una herramienta indispensable en la fabricación de semiconductores. Esta tecnología utiliza una descarga eléctrica (plasma) de alta velocidad para emitir una mezcla adecuada de gases en una muestra para crear circuitos integrados. La generación de plasma está estrechamente relacionada con la aparición de reacciones químicas y colisiones entre electrones y átomos, lo que ha provocado una mayor exploración de la naturaleza del plasma en la comunidad científica.
El plasma es un estado de alta energía en el que ocurren una variedad de procesos. Estos procesos están impulsados por interacciones entre electrones y átomos. Para formar un plasma, los electrones deben ganar suficiente energía para acelerar. Cuando los electrones que se mueven a alta velocidad chocan con los átomos, la energía se transfiere a los átomos, lo que produce diferentes efectos, como excitación, disociación e ionización.
Durante el proceso de grabado con plasma, electrones, iones, radicales libres y partículas neutras interactúan continuamente para formar las sustancias químicas necesarias para el grabado.
La clave para desarrollar con éxito procesos de grabado complejos es encontrar la química de grabado con gas adecuada. Dependiendo del material, puede ser necesario ajustar las condiciones ambientales del proceso de grabado, como la presión del aire, la composición del gas y el nivel de vacío, para generar compuestos volátiles y así mejorar el efecto de grabado.
Sin plasma, las reacciones tendrían lugar a temperaturas más altas, pero con plasma, muchos procesos pueden ocurrir a temperatura ambiente, lo que ayuda a prevenir daños materiales.
La eficacia del grabado también depende de la probabilidad de reacciones entre diferentes átomos, fotones o radicales. La temperatura de la superficie también afecta la eficiencia de estas reacciones. En un plasma, ciertas especies se reúnen y llegan a la superficie, formando una fina capa de óxido. Estos productos volátiles se desorben durante la etapa de plasma, lo que promueve aún más el proceso de grabado. Sin embargo, si el producto no es volátil, puede formar una película en la superficie del material, afectando el efecto de grabado.
La presión es un factor importante que afecta el proceso de grabado con plasma. Para generar plasma a baja presión, la cámara de reacción debe mantenerse en un rango de presión inferior a 100 Pa. El uso de campos eléctricos de alta frecuencia para excitar el gas es un paso importante en la generación de plasma.
El grabado con plasma por microondas utiliza fuentes de excitación de frecuencia de microondas para lograr la producción de plasma con mayor energía, lo que permite un grabado eficiente.
La tecnología de grabado por plasma se utiliza actualmente ampliamente en el procesamiento de materiales semiconductores. Esta tecnología puede tallar pequeñas características en la superficie de materiales semiconductores para mejorar el rendimiento de los dispositivos electrónicos. Por ejemplo, el grabado con plasma se puede utilizar para crear surcos profundos en superficies de silicio, que son importantes para la fabricación de sistemas microelectromecánicos. Con la profundización de la investigación, el potencial de aplicación del grabado con plasma a nanoescala se ha vuelto cada vez más destacado.
En la fabricación de circuitos integrados, se utiliza plasma para hacer crecer películas de óxido de silicio o gas flúor para eliminar películas de óxido de silicio. Cuando se utiliza junto con la fotolitografía, el plasma se puede aplicar o eliminar de forma selectiva para rastrear con precisión las rutas del circuito en una oblea. Además, la tecnología de plasma también se utiliza para el grabado de placas de circuito impreso, incluida la eliminación de depósitos.
El desarrollo de la tecnología de grabado por plasma no se limita a las aplicaciones actuales. Con el avance de la ciencia y la tecnología en el futuro, esta tecnología podrá aplicarse en una gama más amplia de campos y ejercer un mayor potencial. En este mundo que cambia rápidamente, ¿podemos esperar también nuevos avances tecnológicos que irán revelando gradualmente los secretos del plasma?