En la industria electrónica actual en rápido desarrollo, el silicio policristalino de baja temperatura (LTPS) se utiliza cada vez más, especialmente en el campo de la tecnología de visualización. Dado que el uso de grandes paneles de vidrio plantea desafíos para la síntesis a alta temperatura, cómo mejorar la eficiencia de la producción sin comprometer el rendimiento se ha convertido en la clave del progreso científico y tecnológico. Este artículo explora la tecnología de recocido láser y cómo permite que el silicio policristalino mejore significativamente el rendimiento de los dispositivos electrónicos, particularmente en el campo de los transistores de película delgada (TFT).
El silicio policristalino es un material conductor puro compuesto de muchos granos de cristal. En comparación con los métodos tradicionales de síntesis a alta temperatura (normalmente más de 900 °C), la tecnología de síntesis a baja temperatura (alrededor de 650 °C) muestra su aplicación en la industria de los semiconductores. Enorme potencial. En 1984, los investigadores descubrieron que el silicio amorfo es un excelente precursor para producir películas de silicio policristalino que son más estables que los cristales que se depositan directamente. En un proceso inicial de deposición química de vapor (LPCVD), el silicio amorfo se deposita a temperaturas de 560-640 °C y posteriormente se recoce térmicamente a 950-1000 °C para recristalizar.
"El uso de una película de silicio amorfo reduce en gran medida la rugosidad de la superficie de la estructura y promueve la estabilidad del silicio policristalino."
En 1988, los investigadores descubrieron que reduciendo aún más la temperatura de recocido y combinándola con la deposición química de vapor mejorada por plasma (PECVD) se puede lograr una mayor conductividad. Estas tecnologías han tenido un profundo impacto en los campos de la microelectrónica, la fotovoltaica y la mejora de pantallas. impacto de gran alcance.
Los transistores de película delgada de silicio amorfo (TFT a-Si) se utilizan ampliamente en pantallas de cristal líquido (LCD) porque pueden combinarse en circuitos complejos de accionamiento de alta corriente. Los electrodos TFT de silicio amorfo controlan la disposición de los cristales en las pantallas LCD. En este contexto, el desarrollo de LTPS-TFT proporciona una mayor resolución del dispositivo y una menor temperatura de síntesis, lo que reduce los costos del sustrato.
"Aunque las ventajas potenciales de LTPS-TFT son significativas, también tiene algunos inconvenientes, incluida una relación de apertura que es incompatible con los materiales a-Si tradicionales".
LTPS-TFT tiene un área más pequeña, lo que resulta en una relación de apertura pequeña, lo que limita la integración de LTPS basados en circuitos complejos. Además, la calidad del LTPS disminuye con el tiempo, lo que hace que la temperatura del dispositivo aumente cuando se enciende, lo que a su vez provoca la rotura de los enlaces silicio-hidrógeno, provocando fugas de corriente y fallos.
El recocido por láser (ELA) con fluoruro de xenón (XeCl) es un método clave que funde materiales de silicio amorfo mediante radiación láser para producir silicio policristalino. En comparación con el TFT a-Si ordinario, el silicio policristalino tiene una mayor movilidad de electrones y una mejor resolución y relación de apertura, lo que puede admitir obras maestras de circuitos altamente integrados. XeCl-ELA puede cristalizar con éxito silicio amorfo (rango de espesor 500-10000 Å) en silicio policristalino sin calentar el sustrato.
"El silicio policristalino tiene granos más grandes. Esta estructura promueve una mejor movilidad del TFT y reduce la dispersión en los límites de los granos."
El éxito de esta tecnología permite que las pantallas LCD integren circuitos más complejos y mejoren el rendimiento general.
Además de la mejora del propio TFT, la aplicación de LTPS en la visualización gráfica también requiere un diseño de circuito innovador. Por ejemplo, una tecnología reciente implica un circuito de píxeles en el que la corriente de salida del transistor es independiente del voltaje umbral, lo que puede lograr un brillo uniforme. LTPS-TFT se utiliza a menudo para controlar pantallas de diodos emisores de luz orgánicos (OLED) debido a su alta resolución y adaptabilidad a paneles grandes. Aun así, las variaciones en la estructura LTPS pueden provocar voltajes umbrales no uniformes de la señal, afectando así la consistencia del brillo.
"El nuevo diseño del circuito de píxeles resuelve este problema e incluye cuatro TFT de tipo n, un TFT de tipo p, un condensador y un elemento de control".
Estas tecnologías innovadoras no solo mejoran el rendimiento de TFT, sino que también permiten lograr una tecnología de visualización con una resolución de más de 500 ppp.
El óxido de silicio policristalino de baja temperatura (LTPO) es una tecnología avanzada de placa posterior de pantalla OLED desarrollada por Apple. Combina las características de LTPS TFT y óxido TFT (como el óxido de indio, galio y zinc, IGZO). El circuito de conmutación de LTPO utiliza LTPS, mientras que el TFT de conducción utiliza material IGZO, que permite que la pantalla ajuste dinámicamente la frecuencia de actualización según el contenido de la pantalla, mejorando así la utilización de energía.
"Las pantallas LTPO son conocidas por la mayor duración de su batería y se han utilizado ampliamente en muchos teléfonos inteligentes y otros dispositivos móviles".
Aunque Apple desarrolló la tecnología central de LTPO, Samsung también tiene su propio conjunto de tecnologías patentadas de paneles LTPO AMOLED, que utilizan materiales que incluyen LTPS TFT y óxido mixto y silicio policristalino (HOP).
En última instancia, el avance de LTPS y la tecnología de recocido láser sin duda promoverá el desarrollo futuro de la tecnología de visualización. ¿Está preparado para afrontar los desafíos que plantean estos cambios?