L'EEPROM, mémoire morte programmable effaçable électriquement, est une mémoire non volatile qui joue un rôle de plus en plus important dans le domaine de la technologie électronique depuis les années 1970. Ce qui le rend spécial, c'est qu'il peut être effacé et reprogrammé sur un seul bit, ce qui en fait une solution idéale pour stocker de petites quantités de données. Avec les progrès de la technologie, la technologie EEPROM a subi des changements drastiques au cours des dernières décennies, mais retracer son histoire constitue un voyage d’exploration fascinant.
Au début des années 1970, de nombreuses entreprises et instituts de recherche ont commencé à investir dans la recherche sur les mémoires non volatiles reprogrammables électriquement. En 1971, un groupe de chercheurs japonais a publié les premiers résultats de leurs recherches lors de la troisième conférence sur les dispositifs à semi-conducteurs à Tokyo. Bien que leurs efforts aient ouvert la voie à des développements futurs, la technologie de l’époque reposait encore sur des condensateurs, ce qui était très différent de l’EEPROM moderne. La même année, IBM a également obtenu un brevet pour sa mémoire électriquement reprogrammable, lançant ainsi un concours dans le domaine de la technologie de mémoire.
Les premières technologies de mémoire étaient confrontées à divers défis tels que la conservation des données et la fiabilité des cycles d'effacement/écriture.
En 1974, Siemens a inventé avec succès la première EEPROM capable d’effacer les données grâce à l’effet tunnel Fowler-Nordheim, marquant ainsi l’arrivée de la technologie EEPROM moderne. En 1977, le scientifique israélo-américain Eliyahou Harari a obtenu un brevet basé sur l'effet tunnel Fowler-Nordheim chez Hughes Aircraft Company. Cette technologie a non seulement amélioré la conception de la mémoire volatile, mais a également dirigé la production commerciale d'EEPROM.
Les résultats des recherches de Harari et de son équipe ont attiré une attention considérable dans l'industrie et ont guidé la prochaine génération de conception de mémoire.
L'EEPROM d'aujourd'hui est largement utilisée, intégrée aux microcontrôleurs intégrés et utilisée pour les besoins de stockage de données de divers produits. Par rapport à la mémoire flash, l'EEPROM nécessite toujours une structure à deux transistors pour effacer les bits individuels, tandis que la mémoire flash peut utiliser un seul transistor. Par conséquent, l'EEPROM a toujours un statut irremplaçable dans certaines utilisations spécifiques, telles que la sécurité des produits et les petits besoins de stockage.
Avec la sensibilisation croissante à la sécurité numérique, la technologie EEPROM est largement utilisée dans les cartes de crédit, les cartes SIM, les entrées sans clé et autres dispositifs de sécurité. Certains de ces appareils sont également équipés de mécanismes de sécurité anti-copie pour protéger les données stockées. En termes d'entrée et de sortie de données, l'EEPROM peut communiquer à l'aide d'interfaces série ou parallèles, telles que SPI, I²C, etc. La conception de ces interfaces permet à divers appareils d'être bien pris en charge en termes de débit et de compatibilité.
L'interface électrique et l'architecture interne de l'EEPROM lui permettent de gérer les données rapidement et efficacement.
Bien que les technologies émergentes de mémoire non volatile telles que FeRAM et MRAM la remplacent progressivement dans certains domaines d'application, l'EEPROM présente toujours ses propres avantages propriétaires. Par exemple, l'EEPROM maintient toujours un niveau élevé en termes de cycle de réécriture des données et de période de conservation des données. Dans le même temps, la mémoire flash, initialement destinée à remplacer l'EEPROM, commence désormais à devenir un choix courant sur divers marchés, en particulier dans les systèmes nécessitant de grandes quantités de stockage non volatile.
Le développement rapide de la technologie de la mémoire est difficile à prévoir, et de nouvelles inventions et innovations peuvent apparaître à tout moment. Dans cette vague technologique en constante évolution, de quelle manière ces technologies de mémoire peuvent-elles être utilisées et développées plus efficacement ?