Dans la technologie de microfabrication, l’application de la technologie de gravure deviendra un maillon clé dans la fabrication des semi-conducteurs. Le processus de gravure affecte non seulement les performances des composants, mais peut également changer l'avenir de l'ensemble de l'industrie des semi-conducteurs. Comment exploiter au mieux ces secrets dans une technologie en constante évolution est devenu un problème important auquel les professionnels de l'industrie doivent faire face.
La technologie de gravure confère au processus de fabrication des semi-conducteurs une précision au niveau du micron, essentielle aux performances des appareils électroniques modernes.
Le processus de gravure peut être considéré comme un élément indispensable de la fabrication de semi-conducteurs, en particulier dans le processus d'élimination de plusieurs couches de matériaux de la surface de la plaquette. Chaque plaquette passe généralement par plusieurs étapes de gravure avant d’être terminée. Au cours de ces processus, une partie de la plaquette est protégée par un matériau résistant à la corrosion, généralement appelé « matériau de masque ». Le plus souvent, le matériau du masque est modelé à l'aide d'une résine photosensible, tandis que dans certains cas, un masque plus robuste tel que le nitrure de silicium est nécessaire.
La technologie de gravure peut être divisée en deux types de base : la gravure en phase liquide (appelée gravure humide) et la gravure en phase plasma (appelée gravure sèche). Ces deux méthodes ont chacune leurs propres avantages et scénarios d’application uniques.
La gravure humide a été le premier procédé de gravure utilisé, dans lequel la plaquette est immergée dans une solution de gravure chimique, mais cette méthode a été progressivement remplacée par la gravure sèche à la fin des années 1980. Les produits chimiques en solution tels que le phosphate bifluoré (BHF) sont un choix courant pour graver le dioxyde de silicium. Bien que la gravure humide ait des applications limitées, elle présente néanmoins des avantages spécifiques dans certaines situations, comme une sélectivité élevée et des exigences d'équipement simples.
Le problème de la gravure humide est son isotropie, qui peut entraîner de grands écarts lors de la gravure de films plus épais, ce qui est très désavantageux dans les technologies avancées.
Les processus VLSI (circuits intégrés à grande échelle) modernes privilégient la gravure sèche, qui offre une précision et une sélectivité supérieures. En particulier, la technologie de gravure ionique réactive profonde (DRIE) peut créer des éléments plus fins et plus étroits. Cela nécessite que le plasma fonctionne à basse pression pour générer des radicaux chimiques à haute énergie, qui réagissent ensuite sur la surface de la plaquette. De plus, un meilleur contrôle des paramètres du plasma peut aider à modifier les caractéristiques de la gravure, permettant même des bords très nets dans certains cas.
Par rapport à la gravure humide traditionnelle, la gravure sèche offre des fonctionnalités plus contrôlées et peut atteindre la précision requise dans les structures multicouches sans endommager les couches sous-jacentes ou les couches de masquage.
À mesure que la technologie des semi-conducteurs continue de progresser, la demande en technologie de gravure augmente également. À l’avenir, nous pourrions voir des techniques de gravure plus avancées, capables d’effectuer un traitement plus fin avec une efficacité plus élevée. Les experts du secteur estiment que le développement de technologies innovantes favorisera davantage le développement de nouveaux matériaux et de nouveaux dispositifs semi-conducteurs, qui changeront nos vies à l’avenir.
À mesure que la technologie progresse, la technologie de gravure deviendra le cœur de diverses applications émergentes, notamment l’Internet des objets, l’intelligence artificielle et d’autres domaines émergents.
Peu importe les progrès réalisés en matière de développement technologique, la manière d’utiliser la technologie de gravure pour améliorer les performances des semi-conducteurs à l’avenir reste un sujet sur lequel nous devons réfléchir en profondeur ? "