Dans l'ingénierie électronique et la technologie des semi-conducteurs, les transistors à effet de champ à jonction (JFET) sont largement utilisés. Le JFET est un dispositif semi-conducteur simple à trois bornes qui peut être utilisé comme commutateur à commande électronique, comme résistance ou pour construire un amplificateur. Contrairement au transistor à jonction bipolaire (BJT), le JFET est entièrement contrôlé en tension car il ne nécessite pas de courant de polarisation. Le JFET est appelé dispositif en mode d'appauvrissement car son fonctionnement est étroitement lié à la « région d'appauvrissement » de l'espace actuel.
Le principe de fonctionnement du JFET peut être comparé au contrôle du débit d'un tuyau d'arrosage. En comprimant le tuyau pour réduire la section et donc le débit d'eau, le JFET contrôle le flux de courant en rétrécissant le canal conducteur.
Une telle structure confère au JFET une impédance d'entrée élevée, généralement jusqu'à 10^10 ohms, ce qui signifie qu'il y a une interférence minimale avec le circuit à l'entrée. En appliquant une tension de polarisation inverse à sa grille, nous pouvons efficacement « bloquer » ou réduire le courant circulant dans le canal, contrôlant ainsi la sortie. Cette caractéristique est également la raison pour laquelle le JFET est appelé un dispositif en mode d'appauvrissement.
Un JFET est constitué d'un long canal de matériau semi-conducteur, qui peut être de type n ou de type p. Les deux extrémités du canal sont connectées à la source et au drain, et la fonction de grille de contrôle du courant est réalisée via la jonction pn adjacente au canal. Lorsque la tension appropriée est appliquée à la grille, la zone d'appauvrissement résultante s'élargit, limitant le courant circulant dans le canal.
Dans des conditions de fonctionnement normales, le courant circulant dans un JFET est lié à la tension entre sa source et son drain. Cette propriété rend le JFET utile dans de nombreux circuits électroniques, en particulier dans les applications qui nécessitent un faible bruit et une impédance d'entrée élevée, comme les amplificateurs opérationnels (amplis-op).
De nombreux dispositifs JFET présentent une symétrie dans la conception de la source et du drain, ce qui leur confère plus de flexibilité et de compatibilité dans les applications.
Le concept de JFET a été proposé pour la première fois par Julius Lilienfeld dans les années 1920 et 1930, mais la fabrication réelle a nécessité des avancées technologiques des décennies plus tard. Ce n'est qu'en 1945 que Heinrich Welk a déposé pour la première fois un brevet pour le JFET. Plus tard en 1953, George C. Daisy et Ian M. Ross ont réussi à produire un JFET fonctionnel, ce qui a également constitué une étape importante dans l'histoire du JFET.
Le JFET a une large gamme d’applications dans de nombreux domaines. Par exemple, ils sont fréquemment utilisés dans les amplificateurs audio et les amplificateurs RF en raison de leur excellente immunité au bruit. De plus, avec la commercialisation de dispositifs à large bande interdite en silicium-carbone (SiC), les JFET sont dotés du potentiel de vitesses de commutation plus élevées et d'applications haute tension, ce qui confère aux JFET un rôle plus important dans les appareils électroniques modernes.
Les JFET ont un gain plus élevé et un bruit plus faible que les autres types de transistors, ce qui les rend très importants dans certains systèmes à faible bruit. De plus, les JFET sont plus tolérants à l’accumulation d’électricité statique que les transistors à jonction bipolaire, ce qui rend les JFET plus avantageux dans certaines applications sensibles.
En général, la conception, la structure et le mode de fonctionnement unique du JFET en font un composant indispensable de la technologie électronique moderne. Cependant, à mesure que la technologie progresse, le rôle du JFET pourrait également évoluer. Quelles innovations étonnantes nous attendent à l'avenir ?