Language
Country/Area
No result found
Menjelajahi sejarah EEPROM: Ilmuwan mana yang pertama kali mengungkap rahasia memori yang dapat dihapus secara elektrik?
EEPROM, electrically erasable programmable read-only memory, adalah memori nonvolatil yang telah memainkan peran yang semakin penting dalam bidang teknologi elektronik sejak tahun 1970-an. Yang membuatnya istimewa adalah dapat dihapus dan diprogram ulang dalam satu bit, menjadikannya solusi ideal untuk menyimpan sejumlah kecil data. Dengan kemajuan teknologi, teknologi EEPROM telah mengalami perubahan drastis dalam beberapa dekade terakhir, tetapi menelusuri sejarahnya adalah perjalanan eksplorasi yang menarik.
Eksplorasi awal
Pada awal tahun 1970-an, banyak perusahaan dan lembaga penelitian mulai berinvestasi dalam penelitian tentang memori nonvolatil yang dapat diprogram ulang secara elektrik. Pada tahun 1971, sekelompok peneliti dari Jepang menerbitkan hasil penelitian awal di Third Solid State Devices Conference di Tokyo. Meskipun upaya mereka membuka jalan bagi pengembangan di masa mendatang, teknologi pada saat itu masih mengandalkan kapasitor, yang sangat berbeda dari EEPROM modern. Pada tahun yang sama, IBM juga memperoleh hak paten untuk memori yang dapat diprogram ulang secara elektrik, yang memulai kompetisi dalam teknologi memori.
Teknologi memori awal menghadapi berbagai tantangan seperti retensi data dan keandalan siklus hapus/tulis.
Kelahiran EEPROM modern
Pada tahun 1974, Siemens berhasil menciptakan EEPROM pertama yang dapat menghapus data melalui efek tunneling Fowler-Nordheim, yang menandai kedatangan teknologi EEPROM modern. Pada tahun 1977, ilmuwan Israel-Amerika Eliyahou Harari memperoleh hak paten berdasarkan efek tunneling Fowler-Nordheim di Hughes Aircraft Company. Teknologi ini tidak hanya meningkatkan desain memori volatil, tetapi juga memimpin produksi komersial EEPROM.
Hasil penelitian Harari dan timnya telah menarik perhatian signifikan dalam industri dan memandu desain memori generasi berikutnya.
Struktur dan fungsi EEPROM
EEPROM saat ini banyak digunakan, diintegrasikan ke dalam mikrokontroler tertanam, dan digunakan dalam kebutuhan penyimpanan data berbagai produk. Dibandingkan dengan memori flash, EEPROM masih memerlukan struktur dua transistor untuk menghapus bit individual, sedangkan memori flash dapat menggunakan satu transistor. Oleh karena itu, EEPROM masih memiliki status yang tak tergantikan dalam penggunaan spesifik tertentu, seperti keamanan produk dan kebutuhan penyimpanan kecil.
Perlindungan keamanan dan antarmuka listrik
Dengan meningkatnya kesadaran keamanan digital, teknologi EEPROM banyak digunakan dalam kartu kredit, kartu SIM, entri tanpa kunci, dan perangkat keamanan lainnya. Beberapa perangkat ini juga dilengkapi dengan mekanisme keamanan anti-salin untuk melindungi data yang tersimpan. Dalam hal input dan output data, EEPROM dapat berkomunikasi menggunakan antarmuka serial atau paralel, seperti SPI, I²C, dll. Desain antarmuka ini memungkinkan berbagai perangkat didukung dengan baik dalam hal throughput dan kompatibilitas.
Antarmuka elektrik dan arsitektur internal EEPROM memungkinkannya mengelola data dengan cepat dan efisien.
Perkembangan terkini dan masa depan
Meskipun teknologi memori non-volatil yang baru muncul seperti FeRAM dan MRAM secara bertahap menggantikannya di beberapa area aplikasi, EEPROM masih memiliki keunggulan tersendiri. Misalnya, EEPROM selalu mempertahankan standar tinggi dalam hal siklus penulisan ulang data dan periode penyimpanan data. Pada saat yang sama, memori flash, yang awalnya dimaksudkan untuk menggantikan EEPROM, kini mulai menjadi pilihan utama di berbagai pasar, terutama dalam sistem yang memerlukan penyimpanan non-volatil dalam jumlah besar.
Pesatnya perkembangan teknologi memori sulit diprediksi, dan penemuan serta inovasi baru dapat muncul kapan saja. Dalam gelombang teknologi yang terus berkembang ini, bagaimana teknologi memori ini dapat digunakan dan dikembangkan secara lebih efektif?
