Il transistor a giunzione bipolare (BJT) è un componente elettronico fondamentale dalla metà del XX secolo. Questo transistor risiede nella sua capacità di utilizzare elettroni e lacune come portatori, il che gli consente di amplificare e commutare tra correnti piccole e grandi. Sebbene molti sistemi informatici moderni siano passati all'utilizzo di circuiti integrati CMOS (semiconduttori a ossido di metallo complementare) basati su transistor a effetto di campo (FET) con l'avanzare della tecnologia, i BJT svolgono ancora un ruolo importante in alcune applicazioni specifiche.
"Il design e la struttura di questo transistor gli rendono indispensabile in molti campi come l'amplificazione del segnale e il controllo della commutazione."
Il BJT è generalmente composto da tre regioni semiconduttrici drogate in modo diverso, vale a dire emettitore, base e collettore. Queste regioni sono classificate in base al tipo di drogaggio. Per i transistor PNP, le strutture sono di tipo p, tipo n e tipo p; per i transistor NPN, le strutture sono di tipo n, tipo p e tipo n in ordine. Queste aree sono progettate per garantire che gli elettroni possano spostarsi in modo efficiente dall'emettitore alla base e infine al collettore.
"Attraverso processi efficaci di iniezione e diffusione del vettore, BJT può ottenere un'amplificazione efficiente del segnale."
Esistono due tipi principali di BJT: PNP e NPN. L'emettitore di un transistor NPN è fortemente drogato, consentendogli di iniettare molti elettroni nella base, che è leggermente drogata per migliorare il trasporto ambipolare. Durante il funzionamento, la giunzione emettitore-base è solitamente polarizzata direttamente, mentre la polarizzazione inversa appare sulla giunzione base-collettore. Questo design aiuta a migliorare la capacità dei carrier iniettati dall'emettitore alla base di spostarsi rapidamente verso il collettore.
In un BJT, la corrente collettore-emettitore può essere controllata dalla corrente base-emettitore (controllo corrente) o dalla tensione base-emettitore (controllo tensione). Normalmente, la maggior parte dei layout BJT si basa sulla corrente di base per il controllo della corrente del collettore. È fondamentale per la progettazione comprendere queste relazioni perché influiscono direttamente sulla progettazione e sulle prestazioni del circuito.
"Il comportamento unico di ciascun BJT offre vantaggi significativi in applicazioni specifiche."
In alcune applicazioni ad alta potenza, i ritardi di avvio e arresto di BJT sono considerazioni di progettazione chiave. A causa del lungo tempo di conservazione della base nello stato sovrasaturo, ciò ne limita le prestazioni nelle applicazioni di commutazione. Per migliorare i tempi di commutazione, i progettisti possono utilizzare una pinza Baker per impedire la saturazione eccessiva del transistor, riducendo così la carica immagazzinata nella base.
Due parametri importanti per valutare le prestazioni del BJT includono α (alfa) e β (beta). α rappresenta solitamente il rapporto tra la corrente che scorre dall'emettitore al collettore, mentre β è il rapporto tra la corrente del collettore e quella di base. I loro valori possono riflettere efficacemente le caratteristiche di guadagno del BJT.
BJT ha quattro aree operative principali: area attiva in avanti, area attiva inversa, area di saturazione e area di cut-off. Nella regione attiva diretta, la giunzione base-emettitore è polarizzata direttamente, che è la modalità in cui la maggior parte dei BJT esercita il miglior guadagno. Nella regione attiva inversa, i ruoli di emettitore e collettore del transistor sono invertiti. Questa modalità viene utilizzata raramente. La regione di saturazione è uno stato in cui entrambe le giunzioni sono polarizzate direttamente, il che è adatto per la conduzione di correnti elevate. Infine, la regione di interruzione è il normale stato di spegnimento in cui non circola quasi corrente.
Sebbene il ruolo del BJT nella creazione di circuiti analogici e digitali venga gradualmente sostituito da altre tecnologie, mostra ancora i suoi vantaggi insostituibili in molte suddivisioni, come l'amplificazione del segnale e le applicazioni ad alta frequenza. Mentre la tecnologia dei semiconduttori continua ad avanzare, il BJT potrà tornare alla gloria o si evolverà col tempo in una tecnologia marginale?