Con il progresso della tecnologia, la tecnologia dell'incisione al plasma è diventata uno strumento indispensabile nella produzione di semiconduttori. Questa tecnologia utilizza una scarica elettrica ad alta velocità (plasma) per emettere una miscela adatta di gas su un campione per creare circuiti integrati. La generazione del plasma è strettamente correlata al verificarsi di reazioni chimiche e collisioni tra elettroni e atomi, il che ha stimolato una maggiore esplorazione della natura del plasma nella comunità scientifica.
Il plasma è uno stato ad alta energia in cui si verificano una varietà di processi. Questi processi sono guidati dalle interazioni tra elettroni e atomi. Per formare un plasma, gli elettroni devono acquisire energia sufficiente per accelerare. Quando gli elettroni in movimento ad alta velocità entrano in collisione con gli atomi, l'energia viene trasferita agli atomi, provocando diversi effetti, come eccitazione, dissociazione e ionizzazione.
Durante il processo di incisione al plasma, elettroni, ioni, radicali liberi e particelle neutre interagiscono continuamente per formare le sostanze chimiche necessarie per l'incisione.
La chiave per sviluppare con successo processi di incisione complessi è trovare la giusta chimica di incisione del gas. A seconda del materiale, potrebbe essere necessario regolare le condizioni ambientali del processo di incisione, come la pressione dell'aria, la composizione del gas e il livello di vuoto, per generare composti volatili e quindi migliorare l'effetto dell'incisione.
Senza il plasma, le reazioni avverrebbero a temperature più elevate, ma con il plasma molti processi possono avvenire a temperatura ambiente, il che aiuta a prevenire danni materiali.
L'efficacia dell'attacco dipende anche dalla probabilità di reazioni tra diversi atomi, fotoni o radicali. Anche la temperatura superficiale influisce sull'efficienza di queste reazioni. Nel plasma alcune specie si riuniscono e raggiungono la superficie formando un sottile strato di ossido. Questi prodotti volatili si desorbono durante la fase plasma, favorendo ulteriormente il processo di attacco. Tuttavia, se il prodotto non è volatile, potrebbe formare una pellicola sulla superficie del materiale compromettendo l'effetto mordenzante.
La pressione è un fattore importante che influenza il processo di attacco al plasma. Per generare plasma a bassa pressione, la camera di reazione deve essere mantenuta in un intervallo di pressione inferiore a 100Pa. L’utilizzo di campi elettrici ad alta frequenza per eccitare il gas è un passo importante nella generazione del plasma.
L'incisione al plasma a microonde utilizza fonti di eccitazione a frequenza di microonde per ottenere la produzione di plasma a un'energia più elevata, consentendo così un'incisione efficiente.
La tecnologia di incisione al plasma è attualmente ampiamente utilizzata nella lavorazione di materiali semiconduttori. Questa tecnologia può incidere piccole caratteristiche sulla superficie dei materiali semiconduttori per migliorare le prestazioni dei dispositivi elettronici. Ad esempio, l'attacco al plasma può essere utilizzato per creare scanalature profonde nelle superfici di silicio, importanti per la fabbricazione di sistemi microelettromeccanici. Con l’approfondimento della ricerca, il potenziale applicativo dell’attacco al plasma su scala nanometrica è diventato sempre più importante.
Nella produzione di circuiti integrati, il plasma viene utilizzato per far crescere pellicole di ossido di silicio, oppure il gas di fluoro viene utilizzato per rimuovere pellicole di ossido di silicio. Se utilizzato insieme alla fotolitografia, il plasma può essere applicato o rimosso selettivamente per tracciare con precisione i percorsi del circuito su un wafer. Inoltre, la tecnologia al plasma viene utilizzata anche per l'incisione dei circuiti stampati, compresa la rimozione dei depositi.
Lo sviluppo della tecnologia di incisione al plasma non si limita alle applicazioni attuali. Con il progresso della scienza e della tecnologia in futuro, questa tecnologia potrebbe essere applicata in una gamma più ampia di campi ed esercitare un potenziale maggiore. In questo mondo in rapida evoluzione, possiamo aspettarci anche nuove scoperte tecnologiche che sveleranno gradualmente i segreti del plasma?