Nella tecnologia della microproduzione, l'applicazione della tecnologia di incisione diventerà un elemento chiave nella produzione di semiconduttori. Il processo di incisione non solo influisce sulle prestazioni dei componenti, ma può anche cambiare il futuro dell'intero settore dei semiconduttori. Come sfruttare al meglio questi segreti nella tecnologia in continuo progresso è diventato un problema importante che i professionisti del settore devono affrontare.
La tecnologia di incisione conferisce al processo di produzione dei semiconduttori una precisione a livello di micron, fondamentale per le prestazioni dei moderni dispositivi elettronici.
Si può dire che il processo di incisione sia una parte indispensabile della produzione di semiconduttori, in particolare nel processo di rimozione di più strati di materiali dalla superficie del wafer. In genere, ogni wafer viene sottoposto a più fasi di incisione prima di essere completato. Durante questi processi, una parte del wafer viene protetta da un materiale resistente alla corrosione, solitamente chiamato "materiale maschera". Nella maggior parte dei casi, il materiale della maschera è modellato utilizzando fotoresist, mentre in alcuni casi è richiesta una maschera più robusta come il nitruro di silicio.
La tecnologia di incisione può essere suddivisa in due tipologie fondamentali: incisione in fase liquida (detta incisione a umido) e incisione in fase al plasma (detta incisione a secco). Questi due metodi presentano ciascuno i propri vantaggi e scenari applicativi specifici.
Il primo processo di incisione utilizzato è stato l'incisione a umido, in cui il wafer viene immerso in una soluzione chimica di incisione, ma questo metodo è stato gradualmente sostituito dall'incisione a secco alla fine degli anni '80. Per l'incisione del biossido di silicio si ricorre comunemente a prodotti chimici in soluzione, come il bifluoruro di fosfato (BHF). Sebbene l'incisione a umido abbia applicazioni limitate, presenta comunque vantaggi specifici in determinate situazioni, come l'elevata selettività e la semplicità dei requisiti delle apparecchiature.
Il problema dell'incisione a umido è la sua isotropia, che può portare a grandi deviazioni durante l'incisione di pellicole più spesse, il che è molto svantaggioso nelle tecnologie avanzate.
I moderni processi VLSI (circuiti integrati su larga scala) preferiscono l'incisione a secco, che garantisce maggiore precisione e selettività. In particolare, la tecnologia DRIE (Deep Reactive Ion Etching) consente di creare caratteristiche più fini e strette. Ciò richiede che il plasma operi a bassa pressione per generare radicali chimici ad alta energia, che poi reagiscono sulla superficie del wafer. Inoltre, un migliore controllo dei parametri del plasma può contribuire a modificare le caratteristiche dell'incisione, consentendo in alcuni casi anche di ottenere bordi molto nitidi.
Rispetto alla tradizionale incisione a umido, l'incisione a secco offre caratteristiche più controllate e può raggiungere la precisione richiesta nelle strutture multistrato senza danneggiare gli strati sottostanti o quelli di mascheratura.
Con il continuo progresso della tecnologia dei semiconduttori, aumenta anche la domanda di tecnologie di incisione. In futuro potremmo assistere allo sviluppo di tecniche di incisione più avanzate, in grado di eseguire lavorazioni più precise con maggiore efficienza. Gli esperti del settore ritengono che lo sviluppo di tecnologie innovative promuoverà ulteriormente lo sviluppo di nuovi materiali e nuovi dispositivi semiconduttori, che cambieranno la nostra vita in futuro.
Con il progresso della tecnologia, la tecnologia dell'incisione diventerà il fulcro di numerose applicazioni emergenti, tra cui l'Internet delle cose, l'intelligenza artificiale e altri campi emergenti.
Non importa quanto abbiamo raggiunto nello sviluppo tecnologico, come utilizzare la tecnologia di incisione per migliorare le prestazioni dei semiconduttori in futuro è ancora un argomento su cui dobbiamo riflettere approfonditamente? "