Nell'attuale settore elettronico in rapido sviluppo, il silicio policristallino a bassa temperatura (LTPS) è sempre più utilizzato, soprattutto nel campo della tecnologia dei display. Poiché l’uso di pannelli di vetro di grandi dimensioni pone sfide alla sintesi ad alta temperatura, come migliorare l’efficienza produttiva senza compromettere le prestazioni è diventata la chiave del progresso scientifico e tecnologico. Questo articolo esplora la tecnologia di ricottura laser e come consente al silicio policristallino di migliorare significativamente le prestazioni dei dispositivi elettronici, in particolare nel campo dei transistor a film sottile (TFT).
Il silicio policristallino è un materiale conduttivo puro composto da molti grani di cristalli. Rispetto ai tradizionali metodi di sintesi ad alta temperatura (solitamente oltre 900°C), la tecnologia di sintesi a bassa temperatura (circa 650°C) mostra la sua applicazione nell'industria dei semiconduttori. Enorme potenziale. Nel 1984, i ricercatori hanno scoperto che il silicio amorfo è un eccellente precursore per la produzione di pellicole di silicio policristallino che sono più stabili rispetto alla deposizione diretta dei cristalli. In un processo iniziale di deposizione chimica da fase vapore (LPCVD), il silicio amorfo viene depositato a temperature di 560-640°C e viene successivamente ricotto termicamente a 950-1000°C per ricristallizzare.
"L'uso della pellicola di silicio amorfo riduce notevolmente la rugosità superficiale della struttura e promuove la stabilità del silicio policristallino."
Nel 1988, i ricercatori hanno scoperto che abbassando ulteriormente la temperatura di ricottura e combinandola con la deposizione chimica in fase vapore avanzata al plasma (PECVD) è possibile ottenere una conduttività più elevata. Queste tecnologie hanno avuto un profondo impatto sui campi della microelettronica, del fotovoltaico e del miglioramento dei display. impatto di vasta portata.
I transistor a film sottile di silicio amorfo (a-Si TFT) sono ampiamente utilizzati nei display a cristalli liquidi (LCD) perché possono essere combinati in complessi circuiti di pilotaggio ad alta corrente. Gli elettrodi TFT in silicio amorfo guidano la disposizione dei cristalli negli LCD. In questo contesto, lo sviluppo di LTPS-TFT fornisce una risoluzione del dispositivo più elevata e una temperatura di sintesi più bassa, riducendo i costi del substrato.
"Sebbene i potenziali vantaggi di LTPS-TFT siano significativi, presenta anche alcuni inconvenienti, tra cui un rapporto di apertura incompatibile con i tradizionali materiali a-Si."
LTPS-TFT ha un'area più piccola, con conseguente rapporto di apertura ridotto, che limita l'integrazione di LTPS basata su circuiti complessi. Inoltre, la qualità dell'LTPS diminuisce con il tempo, provocando un aumento della temperatura del dispositivo quando viene acceso, il che a sua volta porta alla rottura dei legami silicio-idrogeno, causando corrente di dispersione e guasti.
La ricottura laser (ELA) del fluoruro di xeno (XeCl) è un metodo chiave che fonde materiali di silicio amorfo attraverso la radiazione laser per produrre silicio policristallino. Rispetto al normale TFT a-Si, il silicio policristallino ha una maggiore mobilità degli elettroni e una migliore risoluzione e rapporto di apertura, che possono supportare capolavori di circuiti altamente integrati. XeCl-ELA può cristallizzare con successo il silicio amorfo (intervallo di spessore 500-10.000 Å) in silicio policristallino senza riscaldare il substrato.
"Il silicio policristallino ha grani più grandi. Questa struttura favorisce una migliore mobilità del TFT e riduce la dispersione ai bordi dei grani."
Il successo di questa tecnologia consente ai display LCD di integrare circuiti più complessi e migliorare le prestazioni complessive.
Oltre al miglioramento del TFT stesso, l'applicazione di LTPS nei display grafici richiede anche una progettazione dei circuiti innovativa. Ad esempio, una tecnologia recente prevede un circuito a pixel in cui la corrente di uscita del transistor è indipendente dalla tensione di soglia, che può raggiungere una luminosità uniforme. LTPS-TFT viene spesso utilizzato per pilotare display con diodi organici a emissione di luce (OLED) grazie alla sua alta risoluzione e adattabilità ai pannelli di grandi dimensioni. Anche così, le variazioni nella struttura LTPS possono portare a tensioni di soglia non uniformi del segnale, influenzando così la coerenza della luminosità.
"Il nuovo design del circuito pixel risolve questo problema e include quattro TFT di tipo n, un TFT di tipo p, un condensatore e un elemento di controllo."
Queste tecnologie innovative non solo migliorano le prestazioni del TFT, ma consentono anche di ottenere una tecnologia di visualizzazione con una risoluzione superiore a 500 ppi.
L'ossido di silicio policristallino a bassa temperatura (LTPO) è una tecnologia backplane avanzata per display OLED sviluppata da Apple. Combina le caratteristiche di LTPS TFT e ossido TFT (come l'ossido di indio gallio zinco, IGZO). Il circuito di commutazione di LTPO utilizza LTPS, mentre il TFT di guida utilizza materiale IGZO, che consente allo schermo di regolare dinamicamente la frequenza di aggiornamento in base al contenuto del display, migliorando così l'utilizzo dell'energia.
"I display LTPO sono noti per la maggiore durata della batteria e sono stati ampiamente utilizzati in molti smartphone e altri dispositivi mobili."
Sebbene la tecnologia principale di LTPO sia stata sviluppata da Apple, Samsung dispone anche di una propria serie di tecnologie proprietarie per pannelli AMOLED LTPO, che utilizzano materiali tra cui LTPS TFT e ossido misto e silicio policristallino (HOP).
In definitiva, il progresso della tecnologia LTPS e di ricottura laser promuoverà senza dubbio lo sviluppo futuro della tecnologia di visualizzazione. Sei pronto ad affrontare le sfide poste da questi cambiamenti?