Transistores de Película Delgada Basados en Oxido de Zinc por Spray Pyrolysis Ultrasónico de Alta Frecuencia a Baja Temperatura

Abstract

En este artículo, se reporta la fabricación de transistores de película delgada con óxido de zinc (ZnO TFTs) sobre sustratos de plástico por spray pyrolysis ultrasónico de alta frecuencia a baja temperatura. La máxima temperatura de fabricación fue de 200°C. Spin-on glass fue usado como dieléctrico de compuerta. El tereftalato de polietileno (PET) es usado como sustrato de plástico. Los ZnO TFTs exhiben una movilidad de electrones de 1.25 cm2/Vs y voltaje de umbral de 10.5V, mientras la relación de corriente on/off fue de 104. Adicionalmente, la densidad de trampas en la capa activa y en la interfaz dieléctrico/semiconductor son calculados. Además, capacitores metal-dieléctrico-metal fueron fabricados sobre plástico y caracterizados para evaluar el dieléctrico de compuerta.