В современной науке и технике развитие технологии производства тонких пленок принесло пользу многочисленным отраслям промышленности, среди которых плазменно-химическое осаждение из газовой фазы (PECVD) получило широкое внимание благодаря своей высокой эффективности и высококачественному производству пленок. Эта технология использует химические реакции газов в состоянии плазмы для перевода тонких пленок из газовой фазы в твердую и имеет высокий потенциал применения, особенно в полупроводниковой промышленности и солнечной энергетике. р>
Для обработки материалов плазма со слабой молекулярной ионизацией особенно важна, поскольку электроны имеют низкую массу и низкую эффективность передачи энергии. Таким образом, электроны могут поддерживаться при чрезвычайно высокой эквивалентной температуре, тем самым способствуя многим процессам, которые менее вероятно, произойдет при низких температурах. р>
При образовании плазмы обмен энергией между свободными электронами и молекулами нейтрального газа позволяет эффективно осуществлять разложение сырья и генерацию свободных радикалов при относительно низких температурах. Кроме того, положительные ионы в плазме могут воздействовать на поверхность осаждения, увеличивать плотность пленки и удалять загрязнения, значительно улучшая электрические и механические свойства пленки. р>
Чтобы кратко обсудить механизм действия ПХВД, можно начать с плазмы, образующейся в полости матки. Эти плазмы обычно работают при давлении менее одного Торр и генерируются либо источником переменного тока (AC), либо разрядом постоянного тока (DC). Из-за высокой подвижности электронов обычно существует значительная разница напряжений между плазмой и контактирующим объектом, что приводит к ускорению положительных ионов по направлению к контактирующей поверхности. Это имеет решающее значение при нанесении тонких пленок, поскольку бомбардировка высокоэнергетическими ионами обеспечивает плотность и однородность пленки. р>
При разряде постоянного тока, когда образуется изолирующая пленка, разряд быстро гаснет, поэтому более распространенным вариантом является возбуждение плазмы путем подачи сигнала переменного тока, что может лучше поддерживать разряд и увеличивать скорость осаждения. р>
Например, подача на реактор высокочастотного сигнала частотой 13,56 МГц делает весь процесс более стабильным, а посредством управления напряжением можно также регулировать химический состав осаждения и интенсивность ионной бомбардировки. Это открывает широкие возможности для различных инженерных приложений. р>
Пеклохимическое осаждение из газовой фазы продемонстрировало свой потенциал в полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности, где оно позволяет эффективно наносить равномерную защитную пленку на металлические слои или другие термочувствительные структуры. Например, нанесение диоксида кремния с использованием дихлорсилана или смеси прекурсорного газа силана и кислорода имеет решающее значение для улучшения характеристик высокотехнологичной продукции. р>
Благодаря характеристикам плазменного осаждения скорость осаждения часто выше, чем при традиционном физическом испарении, что делает PECVD лучшим выбором для производства высококачественных тонких пленок. р>
Кроме того, образующаяся пленка нитрида кремния играет важную роль в пассивации поверхности и корпуса поликристаллических кремниевых фотоэлектрических ячеек, что способствует повышению их стабильности и производительности. С развитием технологий PECVD широко применяется при разработке новых материалов и производстве прецизионных конструкций. р>
Ожидается, что в будущем, с дальнейшим развитием технологий, PECVD предоставит более инновационные решения для удовлетворения потребностей в новой энергетике и высокотехнологичных продуктах. В то же время исследователи постоянно изучают новые методы осаждения для улучшения однородности и эксплуатационных характеристик тонких пленок. р>
За этим, непрерывные исследования и инновации необходимы для достижения лучшего качества осаждения более эффективным способом. Это заставляет нас задаться вопросом: в будущем развитии науки и техники, к каким новым изменениям и прорывам может привести плазменное осаждение? Шерстяная ткань ? р>