<р> С появлением электрохимических наноэлектродов (UME) в 1980-х годах была разработана технология чувствительного электрохимического анализа SECM. В 1986 году первый эксперимент Энгстрема типа SECM позволил напрямую наблюдать профили реакций и короткоживущие промежуточные продукты. Вскоре после этого эксперименты Барда с использованием электрохимического сканирующего туннельного микроскопа (ESTM) показали, что токи все еще можно обнаруживать на больших расстояниях от зонда до образца, что несовместимо с туннелированием электронов. Это явление было связано с токами Фарадея и побудило к более глубокому анализу электрохимической микроскопии. <р> Теоретическая основа, предложенная Бардом в 1989 году, также является свежей. Он впервые предложил термин «сканирующий электрохимический микроскоп». Демонстрируя применение различных режимов обратной связи, Бард иллюстрирует широкую полезность SECM. По мере развития теоретических основ количество публикаций, посвященных SECM, увеличивалось из года в год, постепенно увеличившись примерно с 80 статей в 1999 году. Популярность SECM обусловлена не только теоретическими инновациями, но и технологическим прогрессом, который еще больше расширяет экспериментальные режимы, расширяет диапазон подложек и повышает чувствительность.SECM не только предоставляет топографическую информацию, но также часто используется для обнаружения поверхностной реактивности твердых материалов, электрокаталитических материалов, ферментов и других биофизических систем.
<р> SECM имеет два основных режима работы: режим обратной связи и режим формирования коллекции. В режиме обратной связи ультрамикроэлектрод приближается к проводящей подложке и ток увеличивается. Напротив, когда зонд контактирует с изолирующей поверхностью, ток уменьшается, поскольку окисленные частицы не могут быть регенерированы.Изменение тока в этом процессе связано с множеством факторов, включая концентрацию окисленных частиц, коэффициент диффузии и радиус кончика ультрамикроэлектрода.
<р> Что касается микроструктурирования, SECM также используется для изготовления, нанесения рисунка и микроструктурирования поверхностей. Такие операции, как сканирующая зондовая литография (SPL), можно выполнять с помощью конфигурации SECM, что полезно для изучения реакций осаждения металлов, травления поверхности и формирования поверхностного рисунка с помощью ферментов. В сочетании с электрохимическими свойствами SECM преодолевает ограничения по размеру, присущие традиционным процессам микропроизводства.В последние годы технология SECM была усовершенствована для изучения динамики химического переноса на границах раздела жидкость-жидкость и газ-жидкость.