В технологии микропроизводства применение технологии травления станет ключевым звеном в производстве полупроводников. Процесс травления не только влияет на производительность компонентов, но и может изменить будущее всей полупроводниковой промышленности. Как эффективно использовать эти секреты в постоянно развивающейся технологии, стало важным вопросом, с которым должны столкнуться профессионалы отрасли. р>
Технология травления обеспечивает процесс производства полупроводников с точностью на микронном уровне, что имеет решающее значение для производительности современных электронных устройств. р>
Можно сказать, что процесс травления является неотъемлемой частью производства полупроводников, особенно в процессе удаления нескольких слоев материалов с поверхности пластины. Каждая пластина обычно проходит несколько этапов травления, прежде чем будет готова. Во время этих процессов часть пластины защищается коррозионно-стойким материалом, который обычно называют «материалом маски». Чаще всего материал маски формируется с помощью фоторезиста, хотя в некоторых случаях требуется более прочная маска, например, из нитрида кремния. р>
Технологии травления можно разделить на два основных типа: жидкофазное травление (называемое мокрым травлением) и плазменное травление (называемое сухим травлением). Каждый из этих двух методов имеет свои уникальные преимущества и сценарии применения. р>
Самым ранним методом травления было жидкое травление, при котором пластина погружается в химический травильный раствор, но в конце 1980-х годов этот метод был постепенно заменен сухим травлением. Для травления диоксида кремния обычно используют такие растворы химических веществ, как бифторидфосфат (BHF). Хотя жидкостное травление имеет ограниченное применение, в определенных ситуациях оно все же имеет определенные преимущества, такие как высокая селективность и простые требования к оборудованию. р>
Проблема жидкостного травления заключается в его изотропности, что может привести к большим отклонениям при травлении более толстых пленок, что очень невыгодно в современных технологиях. р>
Современные процессы СБИС (больших интегральных схем) предпочитают сухое травление, которое обеспечивает более высокую точность и селективность. В частности, технология глубокого реактивного ионного травления (DRIE) позволяет создавать более тонкие и узкие элементы. Для этого необходимо, чтобы плазма работала при низком давлении, генерируя химические радикалы с высокой энергией, которые затем вступают в реакцию на поверхности пластины. Более того, лучший контроль параметров плазмы может помочь изменить характеристики травления, в некоторых случаях даже позволяя получать очень острые края. р>
Сухое травление обеспечивает более контролируемые характеристики, чем традиционное влажное травление, и может обеспечить необходимую точность в многослойных структурах, не повреждая нижележащие слои или маскирующие слои. р>
Поскольку полупроводниковые технологии продолжают развиваться, спрос на технологию травления также растет. В будущем мы, возможно, увидим более совершенные методы травления, которые позволят выполнять более тонкую обработку с большей эффективностью. Эксперты отрасли полагают, что развитие инновационных технологий будет способствовать дальнейшему развитию новых материалов и новых полупроводниковых приборов, которые изменят нашу жизнь в будущем. р>
По мере развития технологий технология травления станет основой для различных новых приложений, включая Интернет вещей, искусственный интеллект и другие новые области. р>
Независимо от того, насколько мы достигли в технологическом развитии, вопрос о том, как использовать технологию травления для улучшения характеристик полупроводников в будущем, по-прежнему остается темой, над которой нам нужно глубоко задуматься. " р>