В области физики квантовая механика открыла бесчисленное множество загадочных явлений, одной из увлекательных концепций является «квантовая яма». Квантовые ямы — это явление в квантовой механике, которое связывает частицы, в частности электроны, так что они могут существовать только при определенных значениях энергии. Это явление играет важную роль в полупроводниковой технологии, особенно при разработке и применении оптоэлектронных компонентов.
Концепция квантовых ям была впервые независимо предложена в 1963 году Гербертом Кремером, Жоресом Алферовым и Р.Ф. Казариновым.
Квантовая яма — это потенциальная яма, которая может быть ограничена только дискретными значениями энергии. Этот эффект связывания возникает, когда частицы сжимаются из трехмерного пространства в двумерную плоскость. Особенно когда толщина квантовой ямы эквивалентна длине волны де Бройля носителя (обычно электрона или дырки), будет формироваться явление «энергетической подзоны». Это означает, что энергия электронов в одной и той же квантовой яме может принимать только определенные конкретные значения. Эта характеристика открывает новое направление развития современной полупроводниковой техники.
В 1970 году Зоргес Алферов вместе с Эсаки и Цу разработал концепцию полупроводниковых квантовых ям. Два учёных предложили использовать чередующиеся тонкие слои полупроводников с разной запрещенной зоной для создания гетероструктур, утверждая, что такие структуры должны демонстрировать интересные и практичные свойства. С углублением исследований многие ученые занимаются физическими исследованиями систем с квантовыми ямами, и прогресс в этой области тесно связан с совершенствованием технологии выращивания кристаллов.
Во втором тысячелетии Зоргес Алферов и Харберт Кромер получили Нобелевскую премию за вклад в создание квантовых ям.
Системы с квантовыми ямами являются важной областью физики твердого тела. Многие современные компоненты, такие как светодиоды и транзисторы, достигли более высокой производительности и эффективности благодаря технологии квантовых ям. Квантовые ямы и связанные с ними устройства стали неотъемлемой частью современных технологий, особенно в области их применения в мобильных телефонах, компьютерах и различных вычислительных устройствах.
Создание квантовых ям обычно включает размещение полупроводникового материала, такого как арсенид галлия, между двумя слоями материала с большой запрещенной зоной, такого как арсенид алюминия. Такие структуры можно выращивать с использованием таких методов, как молекулярно-лучевая эпитаксия или химическое осаждение из паровой фазы, а толщину слоев можно точно контролировать. Общие методы роста можно разделить на три типа: системы согласования решеток, системы балансировки деформации и системы деформации.
<ул>В квантовых ямах поведение электронов можно объяснить, исходя из основных принципов квантовой механики. Возьмем в качестве примера модель бесконечной ямы — простую, но очень эффективную теорию, в которой стены ямы предполагаются бесконечно высокими, что приводит к тому, что электроны существуют только в определенных энергетических состояниях внутри ямы. В этой модели волновая функция исчезает в барьерной области, а внутри ямы существуют дискретные энергетические состояния.
Интерпретация модели бесконечной ямы показывает, что энергия в яме обратно пропорциональна квадрату длины ямы, что обеспечивает прочную основу для проектирования запрещенной зоны.
Однако, хотя модель бесконечной ямы интуитивно понятна, она не может полностью описать реальную ситуацию. Квантовая яма в действительности ограничена, и волновая функция будет «проникать» в стенку ямы, не исчезая внезапно. Таким образом, модель конечной ямы обеспечивает более точное описание, которое учитывает поведение волновой функции при проникновении в стенку ямы, что еще больше улучшает наше понимание поведения квантовых ям.
Исследование квантовых ям является не только горячей темой в научных кругах, но и привлекает внимание к практическим применениям в полупроводниковых, коммуникационных и оптоэлектронных технологиях. Развитие технологии квантовых ям также приведет к появлению большего количества инноваций, таких как разработка новых, более эффективных транзисторов или компонентов квантовых вычислений. Но куда нас приведут будущие технологические разработки?