Transistor tiếp giáp lưỡng cực (BJT) đã là một linh kiện điện tử quan trọng kể từ giữa thế kỷ 20. Bóng bán dẫn này nằm ở khả năng sử dụng các electron và lỗ trống làm chất mang, cho phép nó khuếch đại và chuyển đổi giữa dòng điện nhỏ và lớn. Mặc dù nhiều hệ thống máy tính hiện đại đã chuyển sang sử dụng các mạch tích hợp bán dẫn oxit kim loại (CMOS) bổ sung dựa trên bóng bán dẫn hiệu ứng trường (FET) khi công nghệ tiến bộ, nhưng BJT vẫn đóng một vai trò quan trọng trong một số ứng dụng cụ thể.
“Thiết kế và cấu trúc của bóng bán dẫn này khiến nó đóng vai trò không thể thiếu trong nhiều lĩnh vực như khuếch đại tín hiệu và điều khiển chuyển mạch.”
BJT thường bao gồm ba vùng bán dẫn được pha tạp khác nhau, đó là bộ phát, cơ sở và bộ thu. Các vùng này được phân loại theo loại pha tạp. Đối với bóng bán dẫn PNP, cấu trúc là loại p, loại n và loại p; đối với bóng bán dẫn NPN, cấu trúc theo thứ tự là loại n, loại p và loại n. Những khu vực này được thiết kế để đảm bảo rằng các electron có thể di chuyển một cách hiệu quả từ bộ phát đến cực gốc và cuối cùng đến bộ thu.
“Thông qua quá trình khuếch tán và tiêm sóng mang hiệu quả, BJT có thể đạt được khả năng khuếch đại tín hiệu hiệu quả.”
Có hai loại BJT chính: PNP và NPN. Bộ phát của bóng bán dẫn NPN được pha tạp nhiều, cho phép nó bơm nhiều electron vào đế, được pha tạp nhẹ để tăng cường sự vận chuyển hai cực. Trong quá trình vận hành, điểm nối cực phát-cơ sở thường bị phân cực thuận và độ lệch ngược xuất hiện ở điểm nối cơ sở-cực thu. Thiết kế này giúp nâng cao khả năng của các chất mang được bơm từ bộ phát đến đế để di chuyển nhanh đến bộ thu.
Trong BJT, dòng điện cực thu-bộ phát có thể được điều khiển bằng dòng điện cực gốc (điều khiển dòng điện) hoặc điện áp cực phát (điều khiển điện áp). Thông thường, hầu hết các bố cục BJT đều dựa vào dòng cơ sở để điều khiển dòng thu. Điều quan trọng đối với người thiết kế là phải hiểu được những mối quan hệ này vì chúng ảnh hưởng trực tiếp đến thiết kế và hiệu suất của mạch điện.
"Hành vi độc đáo của mỗi BJT mang lại cho nó những lợi thế đáng kể trong các ứng dụng cụ thể."
Trong một số ứng dụng công suất cao, độ trễ khởi động và tắt máy của BJT là những vấn đề quan trọng cần cân nhắc trong thiết kế. Do thời gian lưu trữ lâu của bazơ ở trạng thái siêu bão hòa, điều này hạn chế hiệu suất của nó trong việc chuyển đổi ứng dụng. Để cải thiện thời gian chuyển mạch, các nhà thiết kế có thể sử dụng kẹp Baker để ngăn bóng bán dẫn khỏi quá bão hòa, do đó làm giảm điện tích lưu trữ trong đế.
Hai thông số quan trọng để đánh giá hiệu suất của BJT bao gồm α (alpha) và β (beta). α thường biểu thị tỷ lệ dòng điện chạy từ bộ phát đến bộ thu, trong khi β là tỷ lệ của bộ thu và dòng cơ sở. Giá trị của chúng có thể phản ánh một cách hiệu quả các đặc tính khuếch đại của BJT.
BJT có bốn vùng hoạt động chính: vùng hoạt động thuận, vùng hoạt động ngược, vùng bão hòa và vùng cắt. Trong vùng hoạt động thuận, điểm nối cực phát cơ sở được phân cực thuận, đây là chế độ mà hầu hết các BJT đều đạt được mức tăng tốt nhất. Trong vùng hoạt động ngược, vai trò bộ phát và bộ thu của bóng bán dẫn bị đảo ngược. Chế độ này hiếm khi được sử dụng. Vùng bão hòa là trạng thái trong đó cả hai điểm nối đều được phân cực thuận, thích hợp cho việc dẫn dòng điện cao. Cuối cùng, vùng cắt là trạng thái tắt bình thường trong đó hầu như không có dòng điện chạy qua.
Mặc dù vai trò của BJT trong việc tạo ra các mạch analog và digital đang dần bị thay thế bởi các công nghệ khác nhưng nó vẫn thể hiện được những ưu điểm không thể thay thế trong nhiều phân ngành như khuếch đại tín hiệu và ứng dụng tần số cao. Khi công nghệ bán dẫn tiếp tục phát triển, liệu BJT có thể trở lại vinh quang hay nó sẽ phát triển thành một công nghệ ngoại vi theo thời gian?