在量子计算的世界中,局部密度近似(LDA)无疑是一个特殊而重要的角色。这种近似来源于电子密度在每个空间点的值,并在密度泛函理论(DFT)中用来描述交换-关联能量功能。 Hugh Kohn与Lu Jeu Sham在1965年首次引入的LDA,至今仍在许多先进的计算方法中发挥着关键作用。
局部密度近似的主要优势在于,其计算仅依赖于当地的电子密度,这使得其在许多复杂系统的预测中显得尤为有效。
LDA不仅被用于基本的电子结构计算,还在固态物理学中被广泛应用于半导体材料的研究。特别是在理解电子和磁性相互作用的过程中,LDA提供了重要的计算基础。这些研究的核心在于系统的复杂性,因为这样的系统对合成参数极其敏感,因此需要进行第一原则的分析。
应用LDA的计算方法,如CASTEP和DMol3,有助于预测掺杂半导体氧化物的费米能级和能带结构。
然而,LDA并非没有挑战。对于能隙值的低估往往是使用LDA或广义梯度近似(GGA)时常见的问题,这可能导致对于瑕疵介导的导电性和载流子介导的磁性的错误预测。 1998年以来,对于特征值的Rayleigh定理的应用已经为计算材料的能隙提供了更准确的结果。
许多计算性质的准确性依赖于密度泛函理论的第二定理的正确理解。
局部密度近似的建立源于均匀电子气模型,这一模型通过在正的背景电荷中放置互动电子来保持系统的中性性。该模型的成功在于,它能够将总能量的计算简化为动能、静电相互作用能和交换-关联能量的贡献。
对于HEG的交换能量密度,我们已经知道其解析表达式。在LDA中,交换和关联能量分别以不同的近似表示,对于交换能量,HEG的结果被透过局部化的一种方式应用。而在关联能量中,则存在高低密度极限的解析表达式。
LDA还可以扩展到自旋极化系统,这对于研究自旋电子学等领域至关重要。在这种情况下,交换-关联能量将根据自旋密度进行调整,这使得LDA能够很好地处理自旋极化的状况。
这种对自旋的处理使得DFA在自旋电子学研究中的应用更具可行性。
总的来看,局部密度近似在计算化学和固态物理中占有无法替代的地位,它不仅为我们提供了一种强大的工具来理解电子结构,还推动了其他方法的发展。然而,随着科技的进步和新材料的发现,LDA的局限性也日益明显,我们的理解是否能随之深化,将是未来研究的重要课题?