在电子学中,共闸放大器是一种三种基本的单级场效应晶体管(FET)放大器拓扑之一,主要用于电流缓冲器或电压放大器。在这个电路中,晶体管的源极作为输入,漏极作为输出,而闸极则连接到某个直流偏置电压,通常称为「共通」,这也造就了它的名字。相对应的双极性结接晶体管电路则是共基放大器。
虽然共闸放大器的应用频率不如共源放大器或源随器那么高,但它可以和共源放大器结合,形成串接配置。
共闸放大器在许多应用场景中表现出色,尤其是在CMOS RF接收器中。当工作接近FET的频率限制时,共闸放大器的特性显得尤为重要。此配置的优势之一在于它能够轻易地进行阻抗匹配,并且可能拥有较低的噪声。这让设计者能够在设计RF接收器时,非常依赖共闸放大器的特性。
在低频率下,在小信号条件下,报导此电路特性时,我们可以使用下图的混合π模型来进行分析。共闸放大器的特性可以进一步以简单的方式进行总结。
整体电压/电流增益可能显著低于开路/短路增益,主要取决于源电阻与负载电阻的影响。
考虑到进口和出口的负载情况,共闸放大器的封闭电路电压增益可以写为:A_v ≈ \frac{g_m R_L}{1 + g_m R_S}
。这种表达式的简单极限形式则为:A_v = \frac{R_L}{R_S} 或 A_v = g_m R_L
,根据g_m R_S的大小判断。
当RS远大于1/gm时,电路表现得像一个电流跟随器,此时由于电压来源的特性影响,输出电压与电流相对于来源电阻的比值变得非常重要。
相反地,当RS远小于1/gm时,从Thévenin定理的角度分析,会得到一个典型的电压放大器模型。尽管共闸放大器的输入阻抗非常低,但它压倒性优势在需要高增益的应用中依然令人印象深刻。
为了提高增益,通常会在共闸电路与电压驱动器之间加入一个共源放大器,这样设计可以确保在任何时候都能获得实质的电压放大。这就是为什么共闸放大器经常与其它放大器设置配合使用,形成复杂的电路配置。
共闸放大器在RF接收器的设计中不仅能提高性能,还能有效降低噪声,使其在各种无线应用中成为无可替代的元件。
除了共闸放大器外,在相似的电路设计中还有其他多种放大器配置,包括共排、共源、共基等电路结构,各自都有其独特的优势与应用场景。进一步研究电子放大器的变数和二端口网络,能够帮助工程师针对特定需求作出最佳选择。
随着技术的进步,未来的RF接收器将能运用更高效的放大器设计,那么这些知识如何影响我们对电子装置的理解与使用呢?