在光學科學的世界裡,槽波導技術以其高度的光學特性和無與倫比的功能,逐漸成為未來光學裝置的核心技術之一。這項技術的出現,標誌著光學器件的設計與實現方式迎來了一場革命。
槽波導是一種藉由全內反射,在低折射率區域內強烈限制光波的光學波導。它由兩個高折射率材料的條狀或板狀結構組成,中間夾著一個亞波長尺度的低折射率槽區。
槽波導的工作原理基於高折射率和低折射率材料之間電場的斷裂。根據麥克斯韋方程,為了滿足電位移場在介面上的連續性,電場需在低折射率區域產生高幅度的斷裂。當槽的臨界尺寸與基態模態的指數衰減長度相當時,電場在槽內被增強並且高於高折射率區域。
槽波導的誕生可以追溯到2003年,當時來自康奈爾大學的研究人員在金屬氧化物半導體電光調變器的理論研究中意外發現了這一技術。2004年,這項技術的首次實驗性展示在1.55微米操作波長下取得了巨大的成功。
此後,基於槽波導概念的多種引導波結構相繼被提出與展示,例如在2005年,麻省理工學院的研究人員提出使用多個槽區來增強低折射率區域的光場,並於2007年首次實驗性展示了這一多槽波導的橫向配置。
槽波導的製作涉及多種材料體系,如Si/SiO2和Si3N4/SiO2。通過傳統的微納米製造技術,實現了垂直和水平配置的製作。
這些處理工具包括電子束光刻、光刻、化學氣相沉積、熱氧化、反應離子蝕刻和聚焦離子束等。特別是對於水平槽波導,薄膜沉積或氧化技術提供了更好的層次控制。
槽波導能夠在低折射率材料中產生高的電場強度、光功率和光強度,這一特性使其在各種應用中展現出無與倫比的潛力,包括光學開關、光放大及光檢測。
舉例來說,槽波導能顯著提高光學感測器的靈敏度,並可設計出低損耗的太赫茲波分裂器,從而在集成光子學上具有重要意義。
隨著槽波導技術的不斷進步,未來的光學裝置將變得更加小型化、高效能與多樣化。這一技術的普及,未來或許可以解決大多數光學裝置在性能和尺寸上的局限。
然而,隨著對槽波導技術理解的深入,我們必須思考:它能在多大程度上推動下一代光子學的革命性變革呢?