隨著網路速度不斷提升,對高效能的光纖通訊技術的需求也越來越迫切。在這樣的背景下,垂直腔面發射雷射(VCSEL)的出現引起了人們的關注。VCSEL擁有獨特的結構與製程優勢,使其在未來的光纖通訊中展現出革命性的潛力。
「VCSEL是一種半導體雷射二極體,其雷射光束垂直於晶片的頂面發射,這與傳統的邊緣發射雷射不同。」
相較於傳統的邊緣發射雷射,VCSEL的製造過程確實更具優勢。邊緣發射雷射常常需要等到製程末期才能進行測試,若出現故障將造成大量時間與材料的浪費。而VCSEL則可以在製程的不同階段進行測試,這種方式不僅提高了產品的合格率,還能有效控制生產成本。透過這種方法,許多VCSEL可以在同一時間內同時處理,這樣的生產效率使其在市場競爭中占據了一席之地。
在VCSEL的結構方面,雷射共振腔由兩個分佈式布拉格反射器(DBR)鏡子組成,並夾帶著活躍區域,其中包含一個或多個量子井來生成雷射光。這些DBR鏡子由高和低折射率的材料交替層組成,這種設計確保了超過99%的回饋率,從而支撐了VCSEL的良好性能。
「因為VCSEL能夠從晶片的頂部發射,這意味著它們可以在切割為單個器件之前進行晶圓上的測試。」
隨著技術的演進,高功率VCSEL的研究也取得了重大的突破。透過擴大單個器件的發射孔徑,或者將多個元件組合成大型二維陣列,這些高功率VCSEL的應用越來越廣泛。它們不僅可以在醫療、工業和軍事領域發揮關鍵作用,還能用於激光刀割、激光鑽孔和激光打標等工藝。
在應用領域,VCSELs的多樣性讓其展現出令人驚豔的潛力。從光纖數據傳輸到生物組織分析,從激光印表機到結構光技術(例如iPhone的Face ID所使用的點投影儀),VCSELs的應用幾乎無所不在。
「早期的VCSEL可能會在多個縱向模式或細絲模式下發射,但現在單模VCSEL已經變得相對普遍。」
VCSEL的特點還包括其較低的閾值電流,這不僅保證了其低功耗,還使得VCSEL具有高內部調製帶寬。這些特性使得VCSEL在未來的通信技術中具備非常強大的競爭力。隨著市場需求的增加,VCSEL必將成為推動光纖通訊進化的重要推手。
追溯VCSEL的歷史,最早的基於半導體的面發射雷射出現於1977年,並於1988年實現了在室溫下連續工作的設備。VCSEL的一次重大突破發生在1989年,當時貝爾實驗室展示了超過一百萬個VCSEL的小型晶片,這也標誌著面發射雷射技術的開始發展。
現在,隨著科技的進步,VCSEL的應用不斷擴展,且成為短距離光纖通信的主流選擇,尤其是在千兆以太網和光纖通道等領域。這些技術的進步不僅提升了傳輸帶寬,也為各行各業的需求提供了解決方案。
在未來的光纖通訊技術領域,VCSEL所展現出的結構優勢、製造效益以及應用廣泛性,將無疑為其帶來無限的商機和挑戰。然而,隨著技術的演變,VCSEL是否能夠繼續引領光纖通信的發展,並滿足不斷變化的市場需求,實在令人期待?