在量子計算的世界中,局部密度近似(LDA)無疑是一個特殊而重要的角色。這種近似來源於電子密度在每個空間點的值,並在密度泛函理論(DFT)中用來描述交換-關聯能量功能。Hugh Kohn與Lu Jeu Sham在1965年首次引入的LDA,至今仍在許多先進的計算方法中發揮著關鍵作用。
局部密度近似的主要優勢在於,其計算僅依賴於當地的電子密度,這使得其在許多複雜系統的預測中顯得尤為有效。
LDA不僅被用於基本的電子結構計算,還在固態物理學中被廣泛應用於半導體材料的研究。特別是在理解電子和磁性相互作用的過程中,LDA提供了重要的計算基礎。這些研究的核心在於系統的複雜性,因為這樣的系統對合成參數極其敏感,因此需要進行第一原則的分析。
應用LDA的計算方法,如CASTEP和DMol3,有助於預測摻雜半導體氧化物的費米能級和能帶結構。
然而,LDA並非沒有挑戰。對於能隙值的低估往往是使用LDA或廣義梯度近似(GGA)時常見的問題,這可能導致對於瑕疵介導的導電性和載流子介導的磁性的錯誤預測。1998年以來,對於特徵值的Rayleigh定理的應用已經為計算材料的能隙提供了更準確的結果。
許多計算性質的準確性依賴於密度泛函理論的第二定理的正確理解。
局部密度近似的建立源於均勻電子氣模型,這一模型通過在正的背景電荷中放置互動電子來保持系統的中性性。該模型的成功在於,它能夠將總能量的計算簡化為動能、靜電相互作用能和交換-關聯能量的貢獻。
對於HEG的交換能量密度,我們已經知道其解析表達式。在LDA中,交換和關聯能量分別以不同的近似表示,對於交換能量,HEG的結果被透過局部化的一種方式應用。而在關聯能量中,則存在高低密度極限的解析表達式。
LDA還可以擴展到自旋極化系統,這對於研究自旋電子學等領域至關重要。在這種情況下,交換-關聯能量將根據自旋密度進行調整,這使得LDA能夠很好地處理自旋極化的狀況。
這種對自旋的處理使得DFA在自旋電子學研究中的應用更具可行性。
總的來看,局部密度近似在計算化學和固態物理中占有無法替代的地位,它不僅為我們提供了一種強大的工具來理解電子結構,還推動了其他方法的發展。然而,隨著科技的進步和新材料的發現,LDA的局限性也日益明顯,我們的理解是否能隨之深化,將是未來研究的重要課題?