量子井是一種特殊的潛能井,只有離散的能量值。在這種模型中,粒子被限制在一個二維的平面區域內,從而會產生量子限域效應。當量子井的厚度接近於載子的德布羅意波長時(通常是電子和孔),電子將只能擁有離散的能量值,形成所謂的「能量子帶」。這一概念最早由赫伯特·克羅默(Herbert Kroemer)和佐霍雷斯·阿爾費羅夫及R.F.卡扎林諾夫(Zhores Alferov and R.F. Kazarinov)於1963年獨立提出。隨著時間的推移,量子井在半導體物理學中得到了廣泛的應用。
自1970年以來,淺井和層狀結構的研究吸引了眾多科學家的注意,激發了半導體光電元件的快速發展。
半導體量子井的開發始於1970年,當時,淺井和層狀結構的發明者曲立彤(Esaki)和蒯麒(Tsu)提出通過不同帶隙的半導體形成的異質結構,能夠展現出有趣並且實用的性質。隨著科技的進步,尤其是晶體生長技術的進步,這些結構的高淨度與缺陷少的要求,使得許多量子井設備相繼誕生。
量子井通常由一種材料(如砷化鎵)夾在兩層具有更寬帶隙的材料(如磷化鋁)之間形成。當前采用的生長方式主要有分子束外延生長和化學氣相沉積,層厚可精細至單層。在這些材料系統中,形成了一個量子井,該井的特性與兩側的材料密切相關。根據不同的生長方式,量子井的結構可分為晶格匹配系統、應變平衡系統及應變系統。
這些技術的進步不要被低估,因為它們使得更加精緻的半導體設備成為可能。
在量子井內,粒子存在著離散的能量本徵態。以砷化鎵夾鋁砷化鋁結構為例,該結構中電子能量的水平低於周圍材料,這樣的結構使得電子受到束縛而無法自由運行。粒子在井中的狀態類似於「箱子中的粒子」,這種狀態限制了它們的運動,只能在特定的能量水平上運行。
量子井及其設備是固態物理的一個子領域,目前仍在廣泛的研究中。這些系統的理論基於量子物理、統計物理和電動力學等多個領域的重要成果。最簡單的模型是無窮井模型,其中假定潛能井的邊界是無限的。雖然這一模型是理論上的簡化,但它提供了對量子井物理的一定見解。
無窮井模型雖然在理解能量狀態上有所幫助,但其實際預測的能態數量通常多於實際情況,這是因為實際的潛能井邊界並非無窮,而是有限的。有限井模型則提供了一種更為現實的描述,假設潛能井的邊界是有限的,這將使得波函數能夠滲透進入屏障區域,從而可以更準確地預測量子井中的能量行為。
隨著對量子井及其特性的深入研究,這些知識被廣泛應用於現代電子學中,包括發光二極管、電晶體等電子元件的開發,以及在光電技術和通訊設備中的應用。量子井的發展上下游環環相扣,使得科學界逐漸認識到這一領域的潛力,並持續探索進一步的創新。
不少專家認為,未來的量子技術和材料科學將會為我們帶來更多意想不到的應用。
量子井技術的發展告訴我們,微觀世界的運行規則不僅神秘,還充滿了無限的可能性,未來又會有多少未解之謎等待我們去探索呢?