在微觀世界裡,超晶格作為一種週期性結構,深入探討了材料性能的奧秘。早在1925年,科學家們便發現了這種奇特的結構,並對其進行了深入研究。如今,隨著科技的進步,對超晶格的認識不斷加深,其在半導體、機械性質等領域的重要性愈發凸顯。一個問題隨之而來:超晶格究竟能在材料的性能上發揮什麼樣的影響呢?
超晶格是由兩種或多種材料的層狀結構組成,層厚通常在幾納米的範圍內。
超晶格的首次偵測記錄於1925年,由Johansson和Linde進行,他們透過金—銅及鈀—銅系統的特殊X射線衍射圖樣揭示了其存在。隨後,眾多科學家如Bradley和Jay、Gorsky和Borelius等人持續進行研究,對理論進行了修正和擴展。這些研究主要基於晶格中原子從無序狀態轉變為有序狀態的過程。
研究人員J.S. Koehler推測,使用交替的高低彈性常數材料的(納米)層可將剪切阻力提高至100倍。這是因為在納米層中Frank–Read型位錯源無法運作。1978年,Lehoczky首次確認了超晶格材料的機械硬度提高,這一發現隨後也得到了Barnett和Sproul等人的支持,特別是在堅硬的PVD塗層方面。
超晶格材料的特性大幅提升了其在電子元件及光學設備中的應用潛力。
當超晶格由兩種不同的半導體材料構成時,每個量子井都會形成新的選擇規則,影響電荷在結構中的流動。最早由Esaki和Tsu在1970年代提出合成超晶格的概念後,隨著技術的發展,如今已演變為稱為量子結構的超精細半導體。量子束縛的概念使得在孤立的量子井異質結構中觀察到了量子尺寸效應。
超晶格的微帶結構取決於異質結構的類型,分別為第一類、第二類和第三類。第一類的導電帶底部與價帶頂部形成於同一半導體層,而第二類則是在實空間和倒易空間中導電子與空穴被限制在不同層中。第三類超晶格則涉及半金屬材料,如HgTe/CdTe,其帶隙可從半導體調整到零帶隙材料,進而到具有負帶隙的半金屬。
超晶格的製造可通過多種技術實現,其中最常見的是分子束外延(MBE)和濺射技術。這些方法能夠以幾個原子間距的厚度生產層。例如,描述為[Fe20V30]20的超晶格表示20Å的鐵(Fe)和30Å的釩(V)組成的雙層結構,這樣重複20次可達到1000Å的總厚度。MBE技術是製作半導體超晶格的重要手段,具體的結構質量可通過X射線衍射或中子衍射光譜進行驗證。
隨著技術的進步,超晶格的製造方法不斷演變,為未來的新材料開辟了更多的可能性。
在超晶格中,電荷載流子的運動與單層的行為不同,可以增加載流子的遷移率,這對高頻裝置非常有利。近年來,針對石墨烯-hBN的周期性和準周期性超晶格,研究者Felix和Pereira探討了聲子在熱傳輸中的作用,並發現當準周期性增加時,特定的聲子熱傳輸受到抑制。
此外,石墨烯/氮化硼系統在晶體對齊後形成的半導體超晶格,其電荷載流子在電場下幾乎無能量損耗地垂直移動,其結構上打破了反演對稱性。這些新的材料結構有著巨大的應用潛力,尤其在電波、光波的操控及量子計算等領域。
超晶格不僅是現代材料科學的一個重要分支,也將持續推動科技的進步。然而,我們仍需思考,在日益變化的科技環境下,這些微小結構將如何引領未來材料科學的發展方向呢?