在1986年和1988年,A.R. Forouhi和I. Bloomer提出的色散方程為薄膜光學領域的研究開啟了新的篇章。這些方程描述了光子如何在不同能量下與薄膜材料互動,而這一特性對於各種應用,尤其是微製造和光學元件的開發,至關重要。從第一性原理的量子力學出發,Forouhi-Bloomer方程讓我們能夠掌握折射率(n)和消光係數(k)隨光子能量(E)的變化,這對理解材料的光學行為至關重要。
Forouhi-Bloomer方程不僅限於小範圍內的應用,還能擴展到固態物理學中的各種情況。
這些方程式被廣泛接受,並在1991年被納入《光學常數手冊》中,這進一步證實了它們在光學研究中的基本角色。Forouhi-Bloomer的色散方程涵蓋了非晶和結晶材料,能透過光譜反射率工具,根據光子能量E與折射率n和消光係數k進行計算。這些值可隨著光的波長改變,也就是說,n和k的光譜可以被表達為波長λ的函數。
此方程的核心原理在於它能夠準確預測材料在不同光能下的光學行為。
為了導出Forouhi-Bloomer方程,研究人員首先從量子力學的第一原理出發,制定出消光係數k隨光子能量的表達式。接著根據Kramers-Kronig關係,提出了折射率n作為消光係數k的Hilbert變換。這些方程的五個參數——A、B、C、Eg和n(∞)分別具有物理意義,其中Eg代表材料的光學能隙,A、B和C則與材料的能帶結構相關。
這些光學常數可以被視為材料的「指紋」,因為它們描繪了材料與入射光的互動模式。在微製造行業中,各種基材上的薄膜材料塗層提供了至關重要的功能,折射率n、消光係數k和薄膜厚度t的測量與控制是這些功能實現的關鍵。
Forouhi-Bloomer方程不僅適用於半導體和介電質,還能描述透明導體和金屬化合物等多種材料。
在薄膜的表徵過程中,光學常數的測量經常需要間接進行。可測量的量包括光譜反射率R(λ)和光譜透射率T(λ),這些都是根據薄膜的光學特性得到的數據。挑戰在於從反射或透射光譜中提取出n和k的光譜,以及薄膜的厚度。為了解決這個問題,研究人員通常會結合Forouhi-Bloomer方程與Fresnel方程,獲得物理上有效的反射率和透射率的表達式。
以非晶矽薄膜為例,測量中發現這種薄膜在n(λ)和k(λ)光譜中表現出一個寬廣的峰,而隨著材料向結晶態過渡,這個峰逐漸轉變為幾個尖銳的峰。這樣的變化特性使得研究者能夠更好地瞭解不同材料的光學行為,並採用Forouhi-Bloomer方程來調整測量模式。
薄膜光學的發展不僅依賴於對材料特性的理解,還包括對測量方法的持續創新。
Forouhi-Bloomer色散方程為研究和應用薄膜光學提供了無價的理論基礎,無論是在半導體技術還是透明導體的開發中都具有重要的實用價值。未來隨著微製造領域的進步,這些方程將繼續發揮關鍵作用,並可能會在更廣泛的材料科學領域找到新的應用途徑。因此,您是否也在思考,Forouhi-Bloomer方程如何推動材料科學的未來發展?