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Archive | 2016

A method of leakage control in field effect transistors based on an implantation species introduced locally at the sti edge

Kammler Thorsten; Wiatr Maciej; Boschke Roman; Javorka Peter

Archive | 2015

Semiconductor device comprising efuses of enhanced programming efficiency and method for forming the same

Aubel Oliver; Poppe Jens; Kurz Andreas; Boschke Roman

Archive | 2014

SOI-Transistor mit Drain- und Sourcegebieten mit reduzierter Länge und einem dazu benachbarten verspannten dielektrischen Material und Verfahren zur Herstellung

Wei Andy; Kammler Thorsten; Boschke Roman; Scott Casey

Archive | 2013

Halbleiterelement mit vergrabener isolierender Schicht und pn-Übergang sowie entsprechendes Herstellungsverfahren

Kronholz Stephan; Boschke Roman; Papageorgiou Vassilios; Wiatr Maciej

Archive | 2010

SOI-Bauelement mit einem vergrabenen isolierenden Material mit erhöhter Ätzwiderstandsfähigkeit

Kurz Andreas; Boschke Roman; Schwan Christoph; Morgan John

Archive | 2010

Halbleiterbauelement mit einem Silizium/Germanium-Widerstand

Kurz Andreas; Boschke Roman; Schwan Christoph; Morgan John

Archive | 2010

Halbleiterbauelement mit elektronischen Sicherungen mit erhöhter Programmiereffizienz

Aubel Oliver; Poppe Jens; Kurz Andreas; Boschke Roman

Archive | 2009

Erhöhen der Verspannungsübertragungseffizienz in einem Transistor durch Verringern der Abstandshalterbreite während der Drain- und Source-Implantationssequenz

Wiatr Maciej; Boschke Roman; Mowry Anthony

Archive | 2009

Verfahren zum Blockieren einer Voramorphisierung einer Gateelektrode eines Transistors

Mowry Anthony; Lenski Markus; Wei Andy; Boschke Roman

Archive | 2008

Verfahren zur Herstellung von Si-Ge enthaltenden Drain/Source-Gebieten in Transistoren mit geringerem Si/Ge-Verlust

Gehring Andreas; Wiatr Maciej; Wei Andy; Kammler Thorsten; Boschke Roman; Scott Casey

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