Chen Qingming

衬底温度和生长氧压对La 0.67 Sr 0.33 MnO 3 :Ag 0.08 薄膜激光感生电压效应的影响

通过化学共沉淀法制备了La067Sr0.33MnO3：Ag008（LSMO：Ag0.08）多晶材料，然后采用脉冲激光沉积（PLD）技术在LaAlO3（LAO）倾斜衬底上制备了LSMO：Ag0.08薄膜。研究了衬底温度和生长氧压对薄膜结构、电输运特性及激光感生电压（LIV）效应的影响。结果表明：当衬底温度为790℃、生长氧压为45Pa时，薄膜具有最大峰值电压（up）、优值（‰）和各向异性Seebeck系数（△S）在优化的衬底温度和生长氧压条件下，长程Jahn-TeUer协变引起△S数值提高，这是LIV信号增强的主要原因。通过化学共沉淀法制备了La 0.67 Sr 0.33 MnO 3 :Ag 0.08 (LSMO:Ag 0.08 )多晶材料, 然后采用脉冲激光沉积(PLD)技术在LaAlO 3 (LAO)倾斜衬底上制备了LSMO:Ag 0.08 薄膜。研究了衬底温度和生长氧压对薄膜结构、电输运特性及激光感生电压(LIV)效应的影响。结果表明: 当衬底温度为790℃、生长氧压为45 Pa时, 薄膜具有最大峰值电压( U p )、优值( F m )和各向异性Seebeck系数(? S ); 在优化的衬底温度和生长氧压条件下, 长程Jahn-Teller协变引起?S数值提高, 这是LIV信号增强的主要原因。

Ag掺杂对La 2/3 A 1/3 MnO 3 (A=Ca、Sr、Ba)材料电学性能的影响

采用化学共沉淀法制备了La 2/3 A 1/3 MnO 3 :Ag x (A=Ca、Sr、Ba, LAMO:Ag x , x =0、0.1、0.2、0.3、0.4 mol%)多晶复合材料。XRD结果表明实验制备了纯相LAMO:Agx样品, Ag + 离子A位替代致使LCaMO:Ag x 和LSrMO:Ag x 晶格常数和晶胞体积发生微小膨胀, LBaMO:Ag x 晶格常数和晶胞体积发生微小收缩; R-T测试结果表明LCaMO:Ag x 的电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)数值在 x =0.4、 T k =271.3 K( T k 为TCR位于最大值时对应的温度数值)时具有最大值为28%/K。SEM分析结果表明, 随着Ag掺杂量增加, LCaMO晶粒尺寸增大, 晶粒均匀性和规则性得以改善, 晶化质量得到提高。通过Ag微观掺杂机制对LAMO复合材料的TCR数值增强进行了分析讨论。采用化学共沉淀法制备了La 2/3 A 1/3 MnO 3 :Ag x (A=Ca、Sr、Ba, LAMO:Ag x , x =0、0.1、0.2、0.3、0.4 mol%)多晶复合材料。XRD结果表明实验制备了纯相LAMO:Agx样品, Ag + 离子A位替代致使LCaMO:Ag x 和LSrMO:Ag x 晶格常数和晶胞体积发生微小膨胀, LBaMO:Ag x 晶格常数和晶胞体积发生微小收缩; R-T测试结果表明LCaMO:Ag x 的电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)数值在 x =0.4、 T k =271.3 K( T k 为TCR位于最大值时对应的温度数值)时具有最大值为28%/K。SEM分析结果表明, 随着Ag掺杂量增加, LCaMO晶粒尺寸增大, 晶粒均匀性和规则性得以改善, 晶化质量得到提高。通过Ag微观掺杂机制对LAMO复合材料的TCR数值增强进行了分析讨论。