Jean-Michel Dumas

Workshop on hydrogen effect in InP and related compounds

One of the primary technological interests in hydrogen in semiconductors concerns the ease with which it is introduced during crystal growth and processing. Hydrogen can move during device operations and hence alter device characteristics. It is thus necessary to understand how hydrogen is introduced in semiconductors and to be able to detect its presence. Thus, in order to give potential answers to these problems, several topics were discussed. They covered all the hydrogenation effects through : device-related applications, hydrogen-surface interaction, acceptors and donor passivation, unintentional hydrogénation, proton implantation and related problems. Finally, unsolved issues are reviewed in a final talk.RésuméUn des principaux intérêts technologiques quant à l’hydrogène dans les semiconducteurs est relatif à la facilité avec laquelle il s’introduit dans le cristal pendant la croissance et la fabrication. L’hydrogène peut se déplacer pendant le fonctionnement du dispositif et en dégrade les performances. Il est donc nécessaire d’une part de comprendre comment l’hydrogène s’introduit et d’autre part d’être capable de détecter sa présence. Ainsi de manière à apporter des réponses potentielles à ces problèmes, plusieurs thèmes furent abordés. Ils couvrent tous les effets associés à l’hydrogène, c’est-à-dire les applications liées aux dispositifs, l’interaction hydrogène-surface, la passivation des donneurs et accepteurs, l’hydrogénation non intentionnelle, l’implantation protonique et problèmes associés. Un résumé des problèmes non résolus est présenté à la fin de l’atelier.

Performances of laser-processed HEMTs with AlAs-nGaAs superlattice donor layers

The in-site laser desorption of GaAs semi-insulating substrate surfaces prior to MBE (molecular-beam epitaxy) growth and laser processing of ohmic contacts have been used for the fabrication of X-band HEMTs (high-electron-mobility transistors) with superlattice donor layers. The improvements made lead to high-performance devices. The authors discuss details of device fabrication and present electrical characterizations (static measurements and physical investigations, and microwave measurements). In addition, a reliability study indicates that reliability levels comparable to those of GaAs MESFETs are reached.<<ETX>>

Characterization and reliability results on high electron mobility transistors (HEMT)

RésuméL’ évolution des systèmes de télécommunication entraîinent I’introduction de composants de plus en plus performants, particulièrement dans le domaine des microondes. L’apparition de techniques de croissance telles que I’ épitaxie par jets moléculaires autorise la fabrication de transistors à hétérostructure performants. Cette communication aura done pour objectif de décrire la fiabilité des technologies utilisées pour la fabrication de transistors’ a effet de champ utilisant une hétérostructure et appelés HEMT (high electron mobility transistor ou transistor á hauté mobilité électronique).AbstractThe telecommunication systems require introduction of high performance devices especially for microwave applications. The emergence of molecular beam epitaxy as a growth technique allows the fabrication of heterostructure-based performing devices. Thus, this communication will focus on the reliability of technologies used for the development of field effect transistor using heterostructures and called HEMT (high electron mobility transistor).The telecommunication systems require introduction of high performance devices especially for microwave applications. The emergence of molecular beam epitaxy as a growth technique allows the fabrication of heterostructure-based performing devices. Thus, this communication will focus on the reliability of technologies used for the development of field effect transistor using heterostructures and called HEMT (high electron mobility transistor).

Caractéristiques électriques de transistors à mobilité électronique élevée utilisant des superréseaux AlAs-GaAs de type N et fabriqués á I’aide de procédés laser

RésuméLa desorption laser in situ du substrat semi-isolant avant croissance par epitaxie par jets moléculaires (ejm) ainsi qu’un recuit laser des contacts ohmiques sont appliqués à la fabrication de transistors à mobilité électronique élevée (Hemts) utilisant un superréseau AlAs-GaAs de type N comme couche donneuse d’électrons. Les améliorations apportées par ces technologies conduisent à des dispositifs performants.AbstractIn-site laser desorption of GaAs semi-insulating substrate surfaces prior to moleculor beam epitaxy (Mbe) growth and laser processing of ohmic contacts have been used for the fabrication ofHemts with superlattice donor layers. The improvements made lead to high performance devices.

Fiabilité et défaillance des composants pour hyperfréquences

AnalyseLes composants hyperfréquences pour systèmes de télécommunication professionnels font appel à des technologies souvent sophistiquées (dimensions microniques ou submicroniques, par exemple) qui imposent une connaissance de la fiabilité de ces dispositifs. Cet article présente une synthèse sur la fiabilité et les mécanismes de défaillance des composants pour hyperfréquences. Un accent particulier est mis sur les dispositifs développés sur arséniure de gallium.AbstractMicrowave components for professional communication equipments often used «up to date» technologies (micron or submicron dimensions, as an example) which require the knowledge of the reliability of these devices. This paper presents a tutorial on reliability and degradation mechanisms of microwave components. Devices developped on gallium arsenide receive a special attention.