Jiang Wan

Se掺杂量对n型Bi 2 Te 3- x Se x 微结构及热电性能的影响

通过水热法合成不同Se掺杂量的Bi 2 Te 3- x Se x (0 ≤ x ≤0.45)纳米粉体, 采用放电等离子烧结技术, 制备出致密度较高的块体材料。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等测试手段对材料的微结构进行了表征, 并重点研究了含有不同Se掺杂量块体材料的显微结构和热电性能。结果表明: Se元素的掺杂使得粉体XRD特征衍射峰向高角度偏移, 并且衍射峰出现宽化, 晶粒尺寸变小。随着Se掺杂量的增加, 块体材料的电导率先增大后减小; Se元素的掺杂有效地降低了材料的热导率, 并提高了材料的Seebeck系数。研究结果表明: 在整个测试温度区间, 所有经过Se掺杂的样品 ZT 值都高于未掺杂样品。当Se掺杂量为0.3时, 样品具有最大的ZT值, 平均约为0.51, 并在475 K时达到最大值0.57, 相比未经Se掺杂的Bi 2 Te 3 提高了159%。

离子液体辅助水热合成CeO 2 纳米棒

以CeCl 6 ·6H 2 O 和NH 3 ·6H 2 O为原料, 使用离子液体1-丁基-3甲基咪唑氯盐([Bmim]Cl)辅助水热法在160℃下合成了CeO 2 纳米棒。采用X射线衍射(XRD)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的结构和形貌进行了表征。实验结果表明: 使用离子液体辅助水热法制备的产物为CeO 2 纳米棒, 而没有离子液体时产物则为外形无规则的纳米颗粒。所制备的纳米棒直径为13~25 nm, 长度为200~500 nm。增大离子液体的用量将得到纳米颗粒。此外, 升高水热温度至180℃所得样品为直径19~24 nm的纳米球, 该纳米球由2 nm 的纳米晶团聚而成。

Effects of Different Amount of Se-doping on Microstructures and Thermoelectric Properties of n-type Bi

通过水热法合成不同Se掺杂量的Bi 2 Te 3- x Se x (0 ≤ x ≤0.45)纳米粉体, 采用放电等离子烧结技术, 制备出致密度较高的块体材料。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等测试手段对材料的微结构进行了表征, 并重点研究了含有不同Se掺杂量块体材料的显微结构和热电性能。结果表明: Se元素的掺杂使得粉体XRD特征衍射峰向高角度偏移, 并且衍射峰出现宽化, 晶粒尺寸变小。随着Se掺杂量的增加, 块体材料的电导率先增大后减小; Se元素的掺杂有效地降低了材料的热导率, 并提高了材料的Seebeck系数。研究结果表明: 在整个测试温度区间, 所有经过Se掺杂的样品 ZT 值都高于未掺杂样品。当Se掺杂量为0.3时, 样品具有最大的ZT值, 平均约为0.51, 并在475 K时达到最大值0.57, 相比未经Se掺杂的Bi 2 Te 3 提高了159%。