Johann Steinmetz

Method of Controlling Critical Dimensions of Trenches in a Metallization System of a Semiconductor Device During Etch of an Etch Stop Layer

SUPERIOR FILL CONDITIONS IN A REPLACEMENT GATE APPROACH BY CORNER ROUNDING BASED ON A SACRIFICIAL FILL MATERIAL

Verfahren zum Steuern der kritischen Abmessungen von Gräben in einem Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements während des Ätzens einer Ätzstoppschicht

Verfahren zum Steuern kritischer Abmessungen von Kontaktdurchführungen in einem Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements während der Ätzung einer Si-Antireflektierungsschicht

Method of Controlling Critical Dimensions of Vias in a Metallization System of a Semiconductor Device During Silicon-ARC Etch

Verbessertes Füllverhalten in einem Austauschgateverfahren durch Eckenverrundung auf der Grundlage eines Opferfüllmaterials

A method for controlling critical dimensions of trenches in a metallization of a semiconductor device during the etching of an etch stop layer

Verfahren zum Steuern der kritischen Abmessungen von Gräben in einem Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements während des Ätzens einer Ätzstoppschicht A method for controlling critical dimensions of trenches in a metallization system of a semiconductor device during the etching of an etch stop layer

Verfahren zum Steuern kritischer Abmessungen von Kontaktdurchführungen in einem Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements während der Ätzung einer Si-Antireflektierungsschicht A method for controlling critical dimensions of vias in a metallization system of a semiconductor device during the etching of Si Antireflektierungsschicht

A method for controlling critical dimensions of vias in a metallization system of a semiconductor device during the etching of a Si-Antireflektierungsschicht