Nathan Perkins

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR COMPRISING DOPED LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Semiconductor structure having thermal backside core

Apparatus and Semiconductor Structure including a Multilayer Package Substrate

Semiconductor Structure Including a Thermally Conductive, Electrically Insulating Layer

Passivation for Group III-V Semiconductor Devices Having a Plated Metal Layer over an Interlayer Dielectric Layer

Ein pseudomorphischer Transistor mit hoher Elektronenmobilität, welcher eine dotierte Niedrig-Temperatur Pufferschicht aufweist A high electron mobility transistor pseudomorphischer having a doped low-temperature buffer layer

A pseudomorphischer transistor having high electric mobility (pHEMT) having a low-temperature buffer layer

Ein pseudomorphischer Transistor mit hoher Elektromobilität (pHEMT), welcher eine Niedrig-Temperatur Pufferschicht aufweist A pseudomorphischer transistor with high electric mobility (pHEMT), which has a low-temperature buffer layer

METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR GATE WITH SUB-PHOTOLITHOGRAPHIC DIMENSIONS

Verfahren zum Erzeugen eines Transistorgates mit sub-fotolithographischen Abmessungen