Rolf Landsberg

Zur Rührabhängigkeit des Grenzstromes an teilweise bedeckten rotierenden Scheibenelektroden bei relativ grossen Umdrehungszahlen

Zusammenfassung Mit Hilfe von Modellektroden, die eine definierte Zahl aktiver Bereiche besitzen, wird die Ruhrabhangigkeit des Grenzstroms bei relativ hohen Umdrehungszahlen untersucht. Bei genugend grossen (O, I mm) und genugend weit entfernten Stellen ist der Grenzstrom mit der Gleichung fur die Ringelektrode berechenbar, werden die Stellen kleiner (O, o.i mm), so ist der gemessene Strom grosser als der auf obige Weise berechnete, D.h., der Strom ergibt sich durch Uberlagerung von Konvektion, linearer und nichtlinearer Diffusion. Der Anteil der nichtlinearen Diffusion lasst sich nicht quantitativ erfassen. Bei einer grosseren Zahl von aktiven Stellen tritt gegenseitige Beeinflussung auf, so dass der Strom zwischen den beiden Werten liegt, die sich bei Berucksichtigung von linearer und nichtlinearer Diffusion einerseits und von linearer und nichtlinearer Diffusion und Konvektion andereseits berechnen.

Elektrochemische Untersuchungen am Redoxsystem Hexacyanoferrat(II)/Hexacyanoferrat(III)an Graphitelektroden

Zusammenfassung Das Redoxsystem [Fe(CN) 6 ] 4− /[Fe(CN) 6 ] 3− wurde an der rotierenden Scheibenelektrode aus Graphit untersucht. Stationare Messungen im Tafelgebiet ergeben Reaktionsordnungen von n

On capacity measurements and the energy distribution of surface states at the electrolyte-GaAs interface

Abstract The frequency-dependent values for the capacities obtained for GaAs, GaAsP and GaP were interpreted by means of the usual equivalent circuit with the capacity of the surface states and that of the depletion layer in parallel. Consistent results are obtained only assuming a continuous energetic distribution of surface states in the forbidden gap. Adsorption of a dye and Ru3+ leads to an altered distribution function, the maximum appearing can be accounted for by superimposing a Lorentz function on the cosh type of function. The dye adsorption was determined radiochemically and obeys a Freundlich isotherm. Ellipsometric measurements under the same conditions suggest the formation of non-passivating surface films in the electrolytes used.

Zur Chemie der Prussiate: 5. Zur Konzentrationsabhängigkeit der Austauschstromdichte in Systemen des Typs [Fe(CN)5X]3−/[Fe(CN)5X]2−*

Zusammenfassung Einige Prussiate besitzen eine anomale Konzentrationsabhangigkeit der Austauschstromdichte, und die Durchtrittsfaktoren erganzen sich nicht zu eins. Diese Erscheinung lasst sich im Prinzip dadurch erklaren, dass die beiden Redoxkomponenten jeweils Dimere bilden, und dass daruber hinaus ambivalente Formen, die beide Wertigkeitsstufen enthalten, vorhanden sind. Ein geringer, aber merklicher Wert der Bildungskonstanten der Dimeren fur Hexacyanoferraten ist moglich und wurde den Gleichgewichtsmesswerten nicht widersprechen.

Bestimmung von Blockierungsgraden bei der Adsorption von Inhibitoren auf Platinelektroden mit potentiostatischen und galvanostatischen Einschaltmessungen

Zusammenfassung Mit potentiostatischen und galvanostatischen Einschaltmessungen wird die Adsorption folgender organischer Verbindungen an Platinelektroden untersucht: n-Amyl-, n-Heptyl-, n-Octyl-, n-Nonyl-, n-Decylalkohol, Cyclohexanol, Chinolin und Gerbsaure. Es wird festgestellt, dass diese Stoffe die Oberflache teilweise blockieren. Die auf der nicht linearen Diffusions beruhende Modellvorstellung gestattet, die Blockierungsgrade mittlerer Grosse und Anzahl der aktiven Stellen zu bestimmen.

Zur Chemie der Prussiate: 4. Gleichgewichtspotentialmessungen am Redoxsystem [Fe(CN)5NH3]2−/[Fe(CN)5NH3]3−

Zusammenfassung Das Redoxsystem [Fe(CN)5NH3]2−/[Fe(CN)4NH3]3− weist eine anomale Konzentrationsabhangigkeit des Gleichgewichtspotentials auf. Es kann gezeigt werden, dass diese Erscheinung durch die Annahme erklart werden kann, dass Dimere des zweiwertigen (D II) und des dreiwertigen (D III) Eisenkomplexes gebildet werden. Aus der Konzentrationsabhangigkeit des Gleichgewichtspotentials gelingt es, die Konstante des Gleichgewichtes D II + D III ⇌ 2 V zu berechnen.

Zur elektrochemischen lumineszenz an halbreitern

Abstract The electrochemical luminescence of aromatic compounds in aprotic solvents was investigated using the following semiconductor electrodes: n-GaP, n-ZnO and n-SnO 2 . Electrochemical luminescence by direct heterogeneous electron transfer to the excited singlet or triplet state and subsequent luminescence could in no case be detected. The discussion of the mechanism of the redox processes involved is based on experimental observations and energetic correlations which were partly obtained by measuring the capacity of the semiconductor—solvent systems used. We presume that the directly excited states are deactivated by radiationless transitions due to a heavy atom effect. This conclusion was confirmed to the extent that the naphthalin luminescence was quenched by these semiconductors at 77 K.

On the liquid boundary layer near the electrode surface during chlorine evolution

Abstract The dependence of the supersaturation of chlorine at the electrode surface during its anodic evolution, on the position and structure of the electrode surface, on the viscosity and and on the temperature of the chloride solution was measured. The results show that the supersaturation is higher at a smooth platinum electrode than at a rough electrode. This is also the case for a horizontally positioned electrode in comparison with a vertical one. The supersaturation increases with increasing viscosity and decreasing temperature of the solution from which chlorine is evolved. On the basis of experimentally obtained concentration profiles of chlorine and the coefficients of mass transfer, the dependence of supersaturation on surface roughness, electrode positioning, viscosity and temperature of the solution is explained.

On surface conductance measurements at the GaAs/electrolyte interface

Abstract An experimental setup and conditions for measuring the surface conductance of GaAs are described. The potential dependence of the conductance shows that an inversion layer is not formed; instead, the phenomenon of deep depletion is observed. By applying the theory of the Schottky contact, a relationship similar to the Mott-Schottky equation is derived for the conductance. A suitable plot may be used to determine flatband potentials accurately and, provided the mobility is known, the dopant concentration. The mobility may also be calculated from layer conductance measurements. Finally, the cause for the observed negative shift of the flatband potential when species containing large organic cations are adsorbed, is discussed.

Zum Mechanismus der Reduktion des Bromits und Hypobromits an der Quecksilbertropfelektrode

Zusammenfassung Bei der Reduktion von BrO 2 − an der Goldamalgamelektrode erhalt man zwei Stufen. Die erste ist auf die Reduktion des Produktes der chemischen Reaktion zwischen Quecksilber und Bromit zuruckzufuhren, die zweite ist die Bromitreduktionsstufe selbst, die bei genugend hohen pH-Werten diffusionsbestimmt ist und sich daher fur analytische Zwecke eignet. Es wird ein Reduktionsmechanismus vorgeschlagen.