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Archive | 1965

Vorrichtung zum Trennen von Gleichstrom und Wechselstrom

Heywang Walter; Winstel Dr Guenter; Zerbst Dipl-Phys Dr Manfred


Archive | 1966

Herstellung von Zonen unterschiedlichen Leitungstypus in Halbleiterkoerpern unter Anwendung des Legierungsverfahrens

Heywang Walter; Winstel Dr Guenter


Archive | 1968

A B -Lumineszenzdiode, insbesondere auf GaAs-Basis, mit hoher Lichtausbeute infolge geringer Absorption der p-Lumineszenz in der n-Zone

Winstel Dr Guenter; Zschauer Dipl-Phys Karl-Heinz


Archive | 1968

A B-Lumineszenzdiode í¬insbesondere GaAs-Lumineszenzdiode-mit geringem Temperaturkoeffizienten und hoher Lichtausbeute

Mettler Klaus; Winstel Dr Guenter; Zschauer Dipl-Phys Karl-Heinz


Archive | 1968

AIIIBA-Lumineszenzdiode, insbesondere auf GaAs-Basis, mit hoher Lichtausbeute

Winstel Dr Guenter; Zschauer Dipl-Phys Karl-Heinz


Archive | 1966

Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelementes

Seiter Dr Hartmut; Winstel Dr Guenter; Zschauer Dipl-Phys Karl-Heinz


Archive | 1965

Verfahren zum Abtragen eines Halbleiterkoerpers mit pn-UEbergang eines Halbleiterbauelements durch AEtzen

Heywang Walter; Winstel Dr Guenter


Archive | 1965

Verfahren zur Herstellung eines spannungsabhaengigen Kondensators und seine Verwendung

Heywang Walter; Winstel Dr Guenter; Weis Adolf


Archive | 1964

Verfahren zum schnellen Beseitigen von Wasserspuren von der Bildung einer Oxydhaut auf der Oberflaeche von oxydierbaren Halbleiterkoerpern mit oder ohne Elektroden fuer Halbleiterbauelemente

Winstel Dr Guenter; Pfisterer Dr Hermann


Archive | 1964

Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Zschauer Dipl-Phys Karl-Heinz; Winstel Dr Guenter; Dathe Dipl-Phys Joachim

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