Yoshinobu Suehiro

Joining of silicon nitride by solder system La2O3Y2O3Al2O3

La2O3-Y2O3-Al2O3-SiO2-BeO粉末を所定量調合し混合, 粉砕, ペレット化した後に仮焼した接合材を用いて窒化ケイ素焼結体相互の接合を試みた.接合条件として40-53kPaの窒素雰囲気下での減圧接合法にて, 昇降温速度50°-1800℃/min, 接合温度1400°-1500℃の範囲で最適接合条件を求めた. 検鏡の結果, 接合層中にほとんど残留気泡, クラックは見られず, 良好な接合層を呈していた.接合部断面の元素分析から接合剤組成中のLa, Y, Alの各元素が窒化ケイ素中へ拡散し, 拡散層が形成されていることが確認された. 一方, 接合層中には微量のNが検出された.3点曲げ法による接合強度測定の結果, 接合温度1450℃といった比較的低温の接合でも290MPaの強度が得られていることがわかった. その破断発生個所は上記の拡散層からと考えられ, 接合層強度はそれ以上と思われた.また, 拡散層の硬度測定を行った結果, 母材のそれよりも高い結果が得られた.

High Brightness Full Color LEDs

A new Multi-Layer type full color LED, capable of mixing different luminous wavelengths to radiate many different colors of light (visible also from a short distance), at high levels of efficacy. Excellent luminous intensity, has been demonstrated by the prototype. Values of 35 cd white light have been achieved using multi-layered blue, red and green chips, at a current of 20 mA per chip.