Zennosuke Tanaka

Electrodeposition of Zinc ‐ SiO2 Composite

The incorporation mechanism of SiO2 particles into zinc electrodeposit is discussed. The SiO2 particles precipitate in two ways on the (00-1)(eta) of zinc electrodeposit: by lined up particles along the laterally growing macrosteps on the (00.1)(eta) and by randomly dispersed particles on the (00.1)(eta). These particles incorporate into the electrodeposits by following two processes. The sidewalls of particles are incorporated into the macrosteps at the edge of (00.1)(eta). The bottom of randomly dispersed particles are incorporated into the (00.1)(eta) probably by the atomic steps

Shape Evolution of Lead Frame by Electrolytic Etching.

上下両側からのリードフレームの電解エッチングを電流密度分布に基づき二次元数値解析した. アノード幅, 電流密度分布, 板厚によるエッチング形状の影響を検討した. またキャビティ中央部分の残留物消去も検討した.アノード幅が増大するに伴い, 一次・二次電流密度分布共に, サイドエッチング長さは短くなった. 特に一次電流密度分布においては, アノード幅200μmのとき中央部分が盛り上がり残留した. 電流密度が増大するに伴いサイドエッチング長さは短くなった. また板厚の増大に伴い, 一次・二次電流密度分布共に, エッチング形状は円形状となりサイドエッチング長さが増大した.残留物消去を以下の二つの方法で行った. キャビテイ中心からx=45μm～95μmに孤立レジストを設置した時, アノード幅200μmの残留物を完全に消去出来た. またレジスト厚さが30μm厚以上では, アノード幅200μmの残留物を完全に消去出来た.

Transparent Conductive ZnO Thin Films Prepared by Plasma Enhanced CVD.

酸化亜鉛薄膜は透明電極, 紫外発光レーザー材料として注目されている材料である.プラズマCVD法により, DEZと酸素とからノンドープ酸化亜鉛薄膜を作成した.その結果, 基板温度が300℃以上でc-軸配向した.薄膜は時間とともに三角錐状晶から積層した六角板状晶へと成長した.最小抵抗率は4.55×10-3Ω・cmであった.

Fluidization Characteristics of a Centrifugal Fluidized Bed.

遠心流動層は高ガス速度で運転でき, 微小粒子にも適用できるなど特長があるが, 層高が比較的低いためにガスの吹き抜けや部分的な流動化が起こりやすい.ここでは遠心流動層における流動化状態を, 流動化部と非流動化部に分けた部分流動化モデルを用いて, 理論的に検討し, 分散板に仕切を設け, 面積, 仕込量, 回転速度を変えて行った実験と比較した.その結果, ガス速度を変化させたときの圧力損失プロファイルの理論値と実験値が良好に一致した.これより, 遠心流動層では一部から流動化が始まり, 層全体に拡がる過程が説明できた.また, ガス流速による固定層割合の変化は, 部分流動化モデルで説明できた.この流動化状態の変化には, 粒子径や粉体物性の差が大きく影響することが判明した.ガラスビーズと分散性の悪い炭酸カルシウムの結果を比較し, 遠心流動層では層全体の均一な流動化は困難で, そのためにはかなりの流速が必要なことを明らかにした.