С развитием науки и техники инновации в области полупроводниковых материалов становятся все более частыми. Среди них черный кремний, как материал с особыми оптическими свойствами, в последние годы стал важным активом фотоэлектрической промышленности. История черного кремния восходит к 1980-м годам, когда он был непреднамеренным побочным продуктом реактивного ионного травления (РИЭ). Сегодня черный кремний не только улучшил эффективность поглощения света кристаллическими кремниевыми солнечными элементами, но и значительно снизил их стоимость, став важной силой в продвижении отрасли возобновляемых источников энергии.
Характеристики черного кремния в основном обусловлены его уникальной микроструктурой. Поверхность этого материала имеет игольчатую структуру высотой более 10 микрон и диаметром менее 1 микрона. Его наиболее важной особенностью является то, что он может эффективно снижать отражательную способность падающего света:
"Коэффициент отражения традиционных кремниевых материалов обычно составляет 20-30 %, тогда как коэффициент отражения черного кремния составляет всего около 5 %".
Это связано с тем, что игольчатая структура образует эффективную среду, которая поддерживает постоянные изменения показателя преломления, тем самым значительно уменьшая отражение Френеля. Это оптическое свойство не только делает черный кремний выдающимся в солнечных элементах, но и открывает новые возможности для других оптоэлектронных приложений.
Черный кремний имеет широкий спектр применения. Помимо применения в солнечных элементах, он также применяется в следующих областях:
<ул>«Самоорганизованная микроструктура черного кремния не только улучшает способность поглощения света, но также может способствовать биологической устойчивости».
Процесс изготовления черного кремния можно разделить на несколько основных методов, к наиболее распространенным из которых относятся:
Реактивное ионное травление (РИЭ) — стандартная процедура в полупроводниковой технологии. Она формирует структуры микронной глубины путем управления попеременным процессом травления и защиты. Этот процесс может генерировать большое количество игольчатых структур для достижения эффекта черного кремния.
В 1999 году исследовательская группа Гарвардского университета разработала метод производства черного кремния с помощью сверхбыстрых лазерных импульсов. Эти лазерные импульсы могут образовывать конические структуры микронного размера на кремниевом материале, еще больше улучшая его светопоглощающие свойства.
Химическое травление, такое как химическое травление с использованием металла (MACE), — это еще один метод производства черного кремния, который позволяет точно контролировать микроструктуру и не зависит от ориентации кристаллов.
Когда черный кремниевый материал находится под небольшим напряжением, поглощенные фотоны могут возбуждать десятки электронов. По имеющимся данным, чувствительность этих детекторов из черного кремния может быть в 100-500 раз выше, чем у традиционных кремниевых материалов. В последние годы многие исследовательские группы последовательно сообщают об эффективности солнечных элементов из черного кремния, достигающей даже 22,1%. Однако такая технология также сталкивается с проблемой постоянного повышения эффективности и снижения затрат.
"В процессе повышения эффективности преобразования энергии черный кремний продемонстрировал свой важный потенциал для преобразования энергетической отрасли будущего".
Черный кремний — это не только одна из инноваций в области полупроводниковых материалов, но и важный фактор будущего устойчивого развития. Улучшение эффективности поглощения света не только делает фотоэлектрические технологии более конкурентоспособными, но и дает новые идеи для развития других научных и технологических областей. Можем ли мы положиться на материалы с такой крошечной структурой, чтобы произвести революцию в энергетической отрасли в будущем?