Поскольку технологии солнечной энергетики продолжают совершенствоваться и развиваться, черный кремний как новый полупроводниковый материал привлекает всеобщее внимание. Этот улучшенный кремниевый материал с чрезвычайно низкой отражательной способностью и высокими характеристиками поглощения может использоваться не только в солнечных элементах, но и во многих других приложениях. Ожидается, что черный кремний принесет революционные изменения в энергетическую отрасль, так какими же волшебными свойствами он обладает, которые позволяют ему значительно превосходить традиционные кремниевые материалы по эффективности фотоэлектрического преобразования?
Основной характеристикой черного кремния является его высокая способность поглощать падающий свет, при этом отражательная способность снижается с обычных 20–30% до примерно 5%.
Структура поверхности черного кремния игольчатая, с высотой иглы более 10 микрон и диаметром менее 1 микрона. Эта особая форма позволяет свету усиливать внутреннее отражение после попадания в материал, тем самым повышая эффективность поглощения света. Это изменение не только уменьшает потери света, но и позволяет солнечным элементам генерировать больше энергии на той же площади. Нет сомнений в том, что столь высокая эффективность имеет большое значение для снижения себестоимости солнечных элементов.
Существуют различные методы производства черного кремния, включая реактивное ионное травление (РИЭ), лазерную обработку и химическое травление. Каждый метод может в разной степени модифицировать поверхность кремниевых материалов, в конечном итоге создавая черный кремний.
В полупроводниковой промышленности RIE — это стандартная процедура, используемая для создания канавок и отверстий глубиной в сотни микрон в кремниевых подложках. Этот метод позволяет при формировании черного кремния появляться специфические структуры, которые в конечном итоге влияют на оптические свойства материала.
С помощью таких технологий, как Bosch Process RIE, можно сформировать миллионы игольчатых структур на площади в один квадратный миллиметр.
В 1999 году исследовательская группа из Гарвардского университета разработала технологию бомбардировки кремния фемтосекундными лазерными импульсами, которая успешно генерировала черный кремний и придавала ему уникальные свойства, в том числе способность поглощать инфракрасные волны. Эта технология еще больше расширяет потенциал применения черного кремния в таких областях, как датчики, поскольку он работает в газовой среде, содержащей гексафторид серы.
Кроме того, химическое травление металлов (MACE) также позволяет производить черный кремний. С помощью этого метода можно производить черный кремний с одинаковой площадью, независимо от структуры монокристаллического или поликристаллического кремния.
Благодаря своим превосходным оптическим и полупроводниковым свойствам черный кремниевый материал имеет большой потенциал для применения. Возможные области применения:
<ул>Исследования показывают, что эффективность солнечных элементов из черного кремния может достигать 22,1%, что значительно выше, чем у традиционных солнечных элементов.
В солнечной промышленности продвижение черного кремния будет способствовать дальнейшему развитию возобновляемых источников энергии, особенно в контексте стран, стремящихся найти решения по сокращению выбросов углекислого газа. Потенциал черного кремния, несомненно, привлекателен.
Несмотря на то, что потенциал черного кремния доказан, его более широкая коммерциализация и обеспечение его эффективности и осуществимости в различных приложениях по-прежнему остаются проблемами, с которыми предстоит столкнуться отрасли. Продолжение исследований поможет раскрыть весь потенциал черного кремния и проложит путь для будущих технологических разработок.
Разработка черного кремния — это не только технологический прорыв, но и большой шаг на пути к устойчивому развитию. Может ли черный кремний стать ключом к победе в будущей энергетической конкуренции?