Language
Country/Area
No result found
Секрет диэлектрических материалов high-k: почему этот материал является ключом к 45-нм технологии?
Благодаря постоянному развитию полупроводниковых технологий 45-нанометровая технология стала важной вехой. Революционные изменения в этом процессе, особенно внедрение диэлектрических материалов с высоким значением κ, открыли новые возможности в проектировании и производстве пластин. Обсуждение этого нового материала отражает необходимость технического прогресса и то огромное влияние, которое он может оказать.
Эволюция 45 нанотехнологий
Согласно Международной дорожной карте полупроводниковых технологий, 45-нм техпроцесс относится к среднему половинному шагу ячеек памяти, произведенных в период с 2007 по 2008 год. После того как в конце 2007 года компании Panasonic и Intel стали лидерами в массовом производстве 45-нм чипов, в 2008 году за ними последовала и AMD. Другие компании, такие как IBM, Infineon, Samsung и Jinan Semiconductor, также завершили разработку собственных 45-нм технологических платформ.
«Внедрение технологии 45 нм может значительно улучшить производительность чипа и помочь повысить эффективность его производства».
Растет популярность диэлектрических материалов с высоким коэффициентом пропускания
Снижение плотности тока утечки является серьезной проблемой при производстве пластин. Первоначально в отрасли было много опасений по поводу внедрения материалов с высоким коэффициентом κ, но со временем IBM и Intel объявили о своих решениях с высоким коэффициентом κ для диэлектриков и металлических затворах и стали рассматривать их как основу для разработки транзисторов. Сексуальная трансформация. Такие компании, как NEC, также начали производство, заложив основу для 45-нанометровой технологии.
Дисплей ключевых технологий
В 2004 году компания TSMC продемонстрировала 45-нанометровую ячейку SRAM площадью 0,296 квадратных микрометров, что стало еще одним шагом на пути к постепенному развитию базовой технологии. Сложный производственный процесс и эффективное применение технологии фотолитографии позволяют создавать чипы с меньшими размерами элементов. Кроме того, в 2006 году компания Intel продемонстрировала ячейку SRAM размером 0,346 квадратных микрон, что еще раз подтвердило потенциал этой технологии.
«На фоне продолжающейся технологической эволюции технология 45 нм продемонстрировала свой огромный коммерческий потенциал и сферу применения».
Темпы коммерциализации
Компания Panasonic начала массовое производство систем на кристалле для цифровых потребительских устройств на основе 45-нанометрового технологического процесса в 2007 году. В ноябре 2007 года компания Intel выпустила свой первый 45-нм процессор серии Xeon 5400. На многочисленных форумах разработчиков компания Intel продемонстрировала прогресс в процессе проектирования и производства данной технологии, а также представила обновленные инструкции и производственные материалы, в частности обновления, в которых в качестве основного материала используются диэлектрические материалы на основе титана.
Будущие проблемы и перспективы
Благодаря быстрому развитию технологий успешное внедрение 45-нм процесса сделало возможным появление последующих 32-нм, 22-нм и 14-нм технологий. Однако постоянное развитие технологий также влечет за собой более серьезные проблемы. Например, поскольку литография становится все более сложной, спрос на ресурсы будет продолжать расти, что приведет к увеличению затрат на НИОКР. Это вселяет в отраслевых экспертов большие надежды относительно коммерциализации будущих технологий, а также различных технологических усовершенствований, которые они принесут, способных изменить весь ландшафт рынка.
«Благодаря постоянным изменениям будущие полупроводниковые технологии будут двигаться в сторону снижения энергопотребления и повышения производительности».
Роль диэлектрических материалов с высоким коэффициентом пропускания, несомненно, является ключевым фактором в столь быстро меняющемся технологическом ландшафте, но как мы можем продолжать развивать эти технологии, чтобы соответствовать растущим требованиям будущего?
