Với sự phát triển nhanh chóng của khoa học vật liệu, chất cách điện tôpô (TI) ngày càng thu hút được sự chú ý của cộng đồng khoa học. Đặc tính của những vật liệu này rất khác so với các chất cách điện truyền thống. Bên trong đóng vai trò là chất cách điện, nhưng bề mặt lại dẫn điện, nghĩa là các electron chỉ có thể di chuyển dọc theo bề mặt vật liệu. Tính chất vật lý đặc biệt này bắt nguồn từ cái gọi là hiện tượng “biến dạng” trong cấu trúc dải năng lượng của nó, điều này đã làm thay đổi hiểu biết cơ bản của chúng ta về vật chất.
Chất cách điện tôpô có cấu trúc dải xoắn tạo ra trạng thái dẫn điện bề mặt rắn khiến chúng khác biệt với các chất cách điện thông thường.
Các chất cách điện tôpô có thể tồn tại vì có một khoảng cách năng lượng rõ ràng giữa dải hóa trị và dải dẫn của chúng. Tuy nhiên, đặc tính này không có nghĩa là chúng có thể chuyển hóa lẫn nhau mà không bị hạn chế. Chỉ khi cấu trúc dải năng lượng thay đổi, khoảng cách này mới có thể được loại bỏ và chuyển sang trạng thái dẫn điện thông thường. Do đó, ranh giới giữa chất cách điện tôpô và chất cách điện thông thường tương đối rõ ràng và chỉ tồn tại ở những pha có thể dẫn điện. Cho dù dựa trên nhiễu loạn đối xứng cục bộ hay ảnh hưởng bên ngoài, các trạng thái dẫn điện bề mặt này đều cho thấy độ ổn định cực kỳ cao.
Mặc dù trạng thái bề mặt của chất cách điện thông thường cũng có thể dẫn điện nhưng chỉ có trạng thái bề mặt của chất cách điện tôpô mới có độ bền này.
Trong các chất cách điện tôpô chiều cao, các trạng thái bề mặt thể hiện nhiều đặc tính tuyệt vời. Ví dụ, trong một chất cách điện tôpô ba chiều có tính đối xứng ngược thời gian, spin của trạng thái bề mặt bị khóa theo hướng chuyển động, tạo thành cái gọi là hiện tượng khóa động lượng quay. Tình trạng này ngăn chặn mạnh mẽ sự chuyển hướng "hình chữ U" trong quá trình tán xạ và cải thiện độ dẫn điện của kim loại trên bề mặt.
Tuy nhiên, tiềm năng của các chất cách điện tôpô không chỉ giới hạn ở khả năng vận chuyển điện tử. Bề mặt của loại vật liệu này cũng có thể hỗ trợ các hạt Majorana. Sự xuất hiện của những hiện tượng siêu dẫn này đã khiến các chất cách điện tôpô trở thành một chủ đề nóng cho các ứng dụng tiềm năng trong công nghệ điện tử học và điện tử lượng tử.
Hiệu ứng "sàng lọc lớn" của các chất cách điện tôpô là chìa khóa cho tương lai của điện toán lượng tử.
Các chất cách điện tôpô như Bi2Te3 và hợp kim của chúng được đề cập chính xác một cách nổi bật vì những ứng dụng tiềm năng của chúng trong hiệu ứng nhiệt điện. Những vật liệu này thường bao gồm các nguyên tố nặng, có thể làm giảm độ dẫn nhiệt một cách hiệu quả và do đó cải thiện hiệu suất chuyển đổi nhiệt điện. Bằng cách nghiên cứu dạng sóng dải của các chất cách điện tôpô, giờ đây các nhà nghiên cứu đã hiểu cách giảm khối lượng hiệu dụng của electron trong các vật liệu này, từ đó làm tăng độ dẫn điện ở rìa thung lũng.
Công nghệ tổng hợp chất cách điện tôpô ngày càng hoàn thiện, bao gồm lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD), lắng đọng hơi vật lý (PVD) và epit Wax chùm phân tử (MBE). Đặc biệt, MBE, do được thực hiện trong môi trường chân không cao nên có thể giảm ô nhiễm mẫu một cách hiệu quả và đã trở thành phương pháp chuẩn bị chính cho màng mỏng đơn tinh thể chất lượng cao. Điều thú vị hơn là sự phát triển màng mỏng của chất cách điện tôpô chủ yếu dựa vào lực van der Waals giữa các lớp, điều này làm cho việc thiết kế mạch tích hợp trên các chất nền khác nhau trở nên khả thi hơn.
Nghiên cứu trong tương lai sẽ tập trung vào cách kiểm soát tốt hơn quá trình chuẩn bị những vật liệu này và khám phá khả năng của chúng trong phạm vi ứng dụng rộng hơn, đặc biệt là trong lĩnh vực vật liệu siêu dẫn và máy tính lượng tử.
Với sự hiểu biết sâu sắc hơn về tính chất của chất cách điện tôpô, liệu chúng ta có thể phát triển thêm vật liệu cho công nghệ lượng tử không?