量子井是一种特殊的潜能井,只有离散的能量值。在这种模型中,粒子被限制在一个二维的平面区域内,从而会产生量子限域效应。当量子井的厚度接近于载子的德布罗意波长时(通常是电子和孔),电子将只能拥有离散的能量值,形成所谓的「能量子带」。这一概念最早由赫伯特·克罗默(Herbert Kroemer)和佐霍雷斯·阿尔费罗夫及R.F.卡扎林诺夫(Zhores Alferov and R.F. Kazarinov)于1963年独立提出。随着时间的推移,量子井在半导体物理学中得到了广泛的应用。
自1970年以来,浅井和层状结构的研究吸引了众多科学家的注意,激发了半导体光电元件的快速发展。
半导体量子井的开发始于1970年,当时,浅井和层状结构的发明者曲立彤(Esaki)和蒯麒(Tsu)提出通过不同带隙的半导体形成的异质结构,能够展现出有趣并且实用的性质。随着科技的进步,尤其是晶体生长技术的进步,这些结构的高净度与缺陷少的要求,使得许多量子井设备相继诞生。
量子井通常由一种材料(如砷化镓)夹在两层具有更宽带隙的材料(如磷化铝)之间形成。当前采用的生长方式主要有分子束外延生长和化学气相沉积,层厚可精细至单层。在这些材料系统中,形成了一个量子井,该井的特性与两侧的材料密切相关。根据不同的生长方式,量子井的结构可分为晶格匹配系统、应变平衡系统及应变系统。
这些技术的进步不要被低估,因为它们使得更加精致的半导体设备成为可能。
在量子井内,粒子存在着离散的能量本征态。以砷化镓夹铝砷化铝结构为例,该结构中电子能量的水平低于周围材料,这样的结构使得电子受到束缚而无法自由运行。粒子在井中的状态类似于「箱子中的粒子」,这种状态限制了它们的运动,只能在特定的能量水平上运行。
量子井及其设备是固态物理的一个子领域,目前仍在广泛的研究中。这些系统的理论基于量子物理、统计物理和电动力学等多个领域的重要成果。最简单的模型是无穷井模型,其中假定潜能井的边界是无限的。虽然这一模型是理论上的简化,但它提供了对量子井物理的一定见解。
无穷井模型虽然在理解能量状态上有所帮助,但其实际预测的能态数量通常多于实际情况,这是因为实际的潜能井边界并非无穷,而是有限的。有限井模型则提供了一种更为现实的描述,假设潜能井的边界是有限的,这将使得波函数能够渗透进入屏障区域,从而可以更准确地预测量子井中的能量行为。
随着对量子井及其特性的深入研究,这些知识被广泛应用于现代电子学中,包括发光二极管、电晶体等电子元件的开发,以及在光电技术和通讯设备中的应用。量子井的发展上下游环环相扣,使得科学界逐渐认识到这一领域的潜力,并持续探索进一步的创新。
不少专家认为,未来的量子技术和材料科学将会为我们带来更多意想不到的应用。
量子井技术的发展告诉我们,微观世界的运行规则不仅神秘,还充满了无限的可能性,未来又会有多少未解之谜等待我们去探索呢?