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多重圖案技術如何解決分辨率的極限？科學家們有何妙招？
隨著技術的進步，電子產品對於集成電路的需求不斷增加，這使得製造過程中的分辨率成為了一個重要的挑戰。特別是在10納米和7納米工藝中，由於單次光刻曝光無法達到所需的解析度，多重圖案技術便應運而生，作為提高圖案密度的有效解決方案。
多重圖案技術的核心是使用額外的曝光來彌補單次曝光的不足，這樣的處理不僅限於多重曝光，還包括使用為圖案側壁訂製的隔離措施。
多重圖案技術在許多製造情境中都有實用的潛力。例如，當特徵間距低於光學投影系統的分辨率極限時，便需要使用這種技術來實現清晰的圖案。然而，這一技術最早的使用可追溯至1983年，當時科學家們便已經展示了雙重圖案技術的潛力。
多重圖案技術的用途
當特徵的間距低於特定的分辨率極限時，便無法在單次晶圓曝光中解析。這被稱為亞分辨率間距，對於需要高密度圖案的應用來說，大於20納米的特徵寬度仍然需要雙重曝光來達成最佳質量。
多重圖案技術的核心原則
多重圖案技術包含多種不同的策略來克服單次曝光的限制，例如將圖案的不同部分進行不同的illumination。以DRAM的工藝著稱，每個陣列和邊界需要分別曝光，以應對圖案密集度的需求。
這樣的技術使得在生產環境中，能夠根據不同調整曝光條件，從而提高了生產的靈活性和效率。
最新的技術發展
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多重圖案化是增強光刻技術分辨率的一種必需方案，特別是在10nm及7nm製程中。
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