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SORI-CID與HCD的競技：哪一種技術能揭開更多分子之謎？
在當今的質量光譜學領域，碰撞誘導解離（CID）與SORI-CID（持續非共振照射碰撞誘導解離）和HCD（高能碰撞解離）正迎來激烈的競爭。這三種技術在探究分子結構方面的能力各有千秋，它們的原理和應用無疑為科學家進行分子分析提供了強大的工具。
碰撞誘導解離是質量光譜學中一種技術，用於在氣相中誘發選定離子的碎裂，此過程對於分子結構的決定至關重要。
CID技術依賴於通過施加電場來增加離子動能，並允許它們與中性氣體分子發生碰撞，這樣一些動能會轉化為內部能量，從而導致鍵的斷裂。進而，生成的碎片離子可以進一步進行分析。這一過程的高效率使得研究人員能夠獲得關於分子結構的重要信息，並在進行分子識別時提供更高的靈敏度和特異性。
低能CID和高能CID的主要區別在於離子動能的範圍。低能CID通常以不到1千電子伏特（1 keV）的動能進行，而高能CID則涉及1 keV至20 keV的動能。低能CID在碎裂過程中所觀察到的碎片離子與動能密切相關。此外，低能CID更傾向於使離子結構重新排列，而高能CID則能生成一些在低能CID中無法形成的碎片離子，這對於某些具有特定側鏈結構的分子尤其重要。
高能CID技術可測得未在低能CID中發現的碎片，拓展了質量光譜學在分子分析中的應用。
在實際應用中，三重四極質量光譜儀利用CID進行分子檢測。該儀器的第一個四極（Q1）作為質量過濾器，選擇性地傳遞某一離子然後加速至第二個四極（Q2，即碰撞室）。在Q2中，離子與中性氣體碰撞，發生碎裂，最終生成的碎片離子進入第三個四極（Q3），這樣科學家便能獲得來自碎片的質量譜數據，進而進行結構分析。
而在傅立葉變換離子迴旋共振質量光譜儀中，離子通過在共振頻率下施加脈衝電場的方式來提高其動能。這種技術使得研究人員能夠進行多階段質量光譜分析，有助於深入了解分子結構及其反應產物的特性。
SORI-CID技術以其持續的非共振照射方式，為質量光譜的研究提供了全新的思維模式。
然而，近年來HCD技術也逐漸受到關注。HCD是一種特定於orbitrap質量光譜儀的CID技術，其中碎裂過程發生在C-trap之外。此技術的優勢在於，HCD可以克服共振激發的低質量截止問題，讓研究人員能夠從複雜的樣本中獲得更精確的定量分析數據，即使在低能碰撞的範圍內，其能量仍然足夠進行有效的分子碎裂。
儘管稱為高能碰撞解離，高能CID的碰撞能量通常仍然在低能CID的範圍內，印證了其獨特的重要性。
在具體碎裂機制上，CID技術一般可分為同裂解和異裂解。此過程中，存在着與離子內部結構密切相關的不同方式，例如充電偏遠裂解。這些技術的演變，不僅使得分子結構分析的準確性逐步提升，也促進了分子識別和整體檢測能力的增強。
隨著SORI-CID、HCD和其他相關技術的進一步發展，科學家們正面臨著更加深入了解分子結構的契機。而未來在這些技術的競爭中，哪一種方法最終能揭開更多的分子之謎？
