在電子學中,共閘放大器是一種三種基本的單級場效應晶體管(FET)放大器拓撲之一,主要用於電流緩衝器或電壓放大器。在這個電路中,晶體管的源極作為輸入,漏極作為輸出,而閘極則連接到某個直流偏置電壓,通常稱為「共通」,這也造就了它的名字。相對應的雙極性結接晶體管電路則是共基放大器。
雖然共閘放大器的應用頻率不如共源放大器或源隨器那麼高,但它可以和共源放大器結合,形成串接配置。
共閘放大器在許多應用場景中表現出色,尤其是在CMOS RF接收器中。當工作接近FET的頻率限制時,共閘放大器的特性顯得尤為重要。此配置的優勢之一在於它能夠輕易地進行阻抗匹配,並且可能擁有較低的噪聲。這讓設計者能夠在設計RF接收器時,非常依賴共閘放大器的特性。
在低頻率下,在小信號條件下,報導此電路特性時,我們可以使用下圖的混合π模型來進行分析。共閘放大器的特性可以進一步以簡單的方式進行總結。
整體電壓/電流增益可能顯著低於開路/短路增益,主要取決於源電阻與負載電阻的影響。
考慮到進口和出口的負載情況,共閘放大器的封閉電路電壓增益可以寫為:A_v ≈ \frac{g_m R_L}{1 + g_m R_S}
。這種表達式的簡單極限形式則為:A_v = \frac{R_L}{R_S} 或 A_v = g_m R_L
,根據g_m R_S的大小判斷。
當RS遠大於1/gm時,電路表現得像一個電流跟隨器,此時由於電壓來源的特性影響,輸出電壓與電流相對於來源電阻的比值變得非常重要。
相反地,當RS遠小於1/gm時,從Thévenin定理的角度分析,會得到一個典型的電壓放大器模型。儘管共閘放大器的輸入阻抗非常低,但它壓倒性優勢在需要高增益的應用中依然令人印象深刻。
為了提高增益,通常會在共閘電路與電壓驅動器之間加入一個共源放大器,這樣設計可以確保在任何時候都能獲得實質的電壓放大。這就是為什麼共閘放大器經常與其它放大器設置配合使用,形成複雜的電路配置。
共閘放大器在RF接收器的設計中不僅能提高性能,還能有效降低噪聲,使其在各種無線應用中成為無可替代的元件。
除了共閘放大器外,在相似的電路設計中還有其他多種放大器配置,包括共排、共源、共基等電路結構,各自都有其獨特的優勢與應用場景。進一步研究電子放大器的變數和二端口網絡,能夠幫助工程師針對特定需求作出最佳選擇。
隨著技術的進步,未來的RF接收器將能運用更高效的放大器設計,那麼這些知識如何影響我們對電子裝置的理解與使用呢?