미세 제조 분야에서 에칭은 필수적이고 중요한 단계입니다. 이 공정을 통해 기술 제품은 정밀한 구조를 달성할 수 있습니다. 각 웨이퍼는 생산 과정에서 여러 단계의 에칭 단계를 거칩니다. 이 기술은 전자 부품의 성능에 영향을 미칠 뿐만 아니라, 휴대전화, 컴퓨터 등 우리가 일상생활에서 사용하는 전자 제품에도 직접적인 영향을 미칩니다. 더욱 흥미로운 점은, 이러한 것 뒤에 어떤 알려지지 않은 원리가 숨겨져 있을까?
에칭은 웨이퍼 표면의 층을 화학적으로 제거하는 공정으로, 이를 통해 소재의 구조를 더욱 미세하게 만듭니다.
식각 공정에서는 종종 특정 "마스크" 재료를 사용하여 식각액에 저항하여 식각 공정을 정밀하게 제어할 수 있습니다. 일반적인 마스크 재료에는 포토레지스트와 실리콘 질화물이 있습니다. 다양한 에칭 방법 중에서, 일반적으로 액상 에칭(습식 에칭)과 기상 에칭(건식 에칭)으로 나눌 수 있습니다. 이러한 방법의 차이는 최종 재료의 구조와 그 특성에 큰 영향을 미칩니다.
1980년대 이전에는 액상 에칭이 가장 흔히 사용되는 에칭 방법이었습니다. 이 공정에서는 웨이퍼를 화학 용액에 담그는 과정이 필요한데, 어떤 화학 물질을 선택하느냐에 따라 최종 결과가 달라집니다. 예를 들어 완충 불산(BHF)을 살펴보자. 이 화학 물질은 종종 이산화규소를 에칭하는 데 사용되며 에칭의 정확도는 특정 변수를 통해 제어된다.
불량의 폐수 처리와 환경 피해로 인해 습식 식각은 점차 중단되고 있으며, 특히 오늘날의 고도로 발달된 기술을 감안할 때 더욱 그렇습니다.
또한 습식 식각은 등방성 식각이라는 문제가 있는데, 이로 인해 두꺼운 필름을 식각할 때 원하는 구조를 제어하는 것이 불가능한 경우가 많습니다. 따라서 오늘날의 미세 가공 공정은 건식 에칭 기술, 특히 심층 반응성 이온 에칭(DRIE)에 의존하는 경향이 있으며, 이를 통해 수평 및 수직 에칭 속도에서 상당한 차이를 얻을 수 있습니다.
기술의 발전으로 인해 건식 식각 기술이 점차 등장하여 오늘날의 대규모 집적(VLSI) 공정의 주류가 되었습니다. 이 기술의 작동 원리는 저압 환경에서 플라즈마의 자유 라디칼을 이용해 재료를 효율적으로 에칭하는 것입니다. 이 방법은 에칭 속도를 높일 뿐만 아니라, 더 높은 정밀도를 달성합니다.
플라스마는 전통적인 액체 화학 에칭을 대체하여 미세 제조 산업에 혁신적인 변화를 가져왔습니다.
이러한 변형은 의심할 여지 없이 에칭의 기능을 증가시킵니다. 플라즈마 에칭은 다양한 요구에 따라 다양한 가스를 소스 가스로 선택할 수 있으며, 다양한 가스는 에칭의 깊이와 정확도에 영향을 미칩니다. 즉, 오늘날의 미세 제조 기술은 다양한 생산 요구에 더욱 유연하게 적응할 수 있다는 의미입니다.
단결정 실리콘의 에칭 공정에서 중요한 개념은 결정 방향이 에칭 효과에 영향을 미친다는 것입니다. 예를 들어, 단결정 실리콘에서 서로 다른 결정면(예: <100> 및 <111>)은 서로 다른 에칭 속도를 갖습니다. 이 현상을 이방성 에칭이라고 합니다. 이를 통해 최종 구조적 형태를 제어할 수 있을 뿐만 아니라, 더 복잡한 설계도 가능해졌습니다.
미세 가공 기술은 에칭 방향을 정밀하게 제어함으로써 더욱 미세한 구조를 만들어 낼 수 있는데, 이는 현대 전자 장치에 필요한 핵심 기술 중 하나입니다.
예를 들어, (100) 결정면이 에칭되면 마스크 재료를 통해 피라미드 구조가 생성될 수 있으며 이는 일부 반도체 소자에서 중요합니다. 이러한 기술은 구성 요소의 성능을 향상시킬 뿐만 아니라 설계 방식을 바꾸어 새로운 가능성을 열어줍니다.
에칭 기술의 발전은 전통적인 반도체 산업에만 적용되는 것이 아니라, 그 원리가 MEMS(마이크로 전자 전기 기계 시스템) 및 광학 시스템 등 새로운 과학 기술 분야에도 점차 적용되고 있습니다. 새로운 소재의 등장으로 미래의 에칭 기술은 더 많은 혁신을 가져올 수도 있다. 그리고 이 모든 것이 우리의 다가올 기술 생활에 어떤 영향을 미칠까요?
지속적인 진보를 통해 에칭 기술은 우리의 미래를 형성하고 있습니다. 그렇다면 미래 기술은 어떤 무한한 가능성을 가질까요?