미세공정 산업에서 에칭 기술은 빼놓을 수 없는 부분이며, 특히 웨이퍼 제조 공정에서는 더욱 그렇습니다. 전통적으로 액상 에칭이라고도 알려진 습식 에칭이 1980년대 이전에 가장 일반적이었던 최초의 에칭 방법이었습니다. 그러나 기술이 발전함에 따라 이 공정은 점차 건식 에칭 방식으로 대체되었습니다. 그렇다면 현대 공정에서 습식 에칭이 거의 사라진 이유는 무엇입니까?
습식 에칭은 액상 에칭액을 사용하여 웨이퍼 표면에서 물질을 제거합니다. 이 과정에서 웨이퍼는 이산화규소와 같은 특정 물질을 부식시키는 것으로 알려진 화학 물질이 포함된 용액에 담궈집니다.
그러나 습식 에칭의 가장 큰 단점은 등방성 에칭 효과가 나타나는 경우가 많다는 것입니다. 즉, 에칭이 모든 방향에서 균일하게 진행된다는 것입니다. 이는 높은 수준의 정밀도와 기하학적 구조를 요구하는 미세 가공 응용 분야에서는 확실히 문제가 됩니다.
습식 에칭은 일반적으로 다량의 독성 폐기물을 처리해야 하며 에칭 깊이와 방향 제어가 어려워 정밀 제조에 사용이 거의 불가능합니다.
마이크로일렉트로닉스 기술의 발전으로 건식에칭 기술이 점차 주류로 자리잡고 있습니다. 건식 에칭, 특히 플라즈마 에칭을 사용하면 현대 웨이퍼 생산에 중요한 에칭 깊이와 모양을 정밀하게 제어할 수 있습니다. 이 기술은 플라즈마의 매개변수를 조절하여 이방성 식각을 구현할 수 있습니다. 즉, 식각 속도가 방향에 따라 균일하지 않으며, 깊고 좁은 구조를 만드는 데 매우 적합합니다.
습식 에칭의 또 다른 단점은 환경에 미치는 영향입니다. 환경 규제가 점점 더 엄격해짐에 따라 많은 기업에서는 생산 과정에서 환경에 미치는 피해를 줄이기 위한 대안을 찾기 시작했습니다. 습식 에칭의 사용에는 작업자의 건강과 주변 환경에 위협이 될 수 있는 독성 화학 물질이 많이 포함됩니다. 반면, 건식 에칭 공정은 일반적으로 폐쇄된 시스템에서 수행되므로 유해 화학물질에 노출될 위험이 줄어듭니다.
공정이 지속적으로 개선되면서 더 미세한 구조를 제조하는 데 장점이 있는 DRIE(Deep Reactive Ion Etching)와 같은 건식 식각 옵션이 더욱 다양해지고 전문화되고 있습니다. 또한 건식 에칭은 가스 구성을 변경하여 특정 재료를 구체적으로 목표로 삼을 수 있으므로 다양한 응용 분야에서 유연성을 높일 수 있습니다.
공정 효과나 환경 영향 측면에서든 건식 에칭은 현대 미세 가공에서 확실히 선호되는 기술이 되었습니다.
한때 습식 에칭은 미세 가공 공정의 중요한 부분이었지만 기술이 발전함에 따라 정확성, 보호 조치 및 환경 친화적인 기능으로 인해 건식 에칭이 그 자리를 대신하게 되었습니다. 수요와 기술이 변화함에 따라, 미세 가공 기술은 미래에 어떤 종류의 혁명을 가져올 것인가?