Carlos Vargas Hernández

Medición de la absorbancia óptica de soluciones acuosas mediante la instrumentación virtual y el control

Se presenta el diseno de un sistema de medicion de absorbancia optica para soluciones acuosas usando adquisicion de datos, control e instrumentacion virtual con el lenguaje grafico LabVIEW. El software desarrollado permite el control en paralelo de la intensidad y longitud de onda de la luz aplicada a una solucion acuosa traslucida y la medicion de potencia optica. El programa visualiza en tiempo real la posicion de un servomotor y grafica los datos de potencia optica como funcion de longitud de onda, se permite realizar medidas de medio ciclo y de ciclo completo para conocer la histeresis optica, tambien se permite controlar el tiempo entre medidas para tener en cuenta fenomenos de relajacion. El aplicativo genera reportes en archivos de texto. Los resultados obtenidos en soluciones buffer muestran una relacion entre la absorcion optica y el pH que proyectan el desarrollo de un nuevo metodo no invasivo para la medicion del pH.

LA TÉCNICA DE FOTORREFLECTANCIA PARA ANALIZAR PROPIEDADES ÓPTICAS Y MECÁNICAS DE MUESTRAS SEMICONDUCTORAS

It is presented a biographic revision of the photoreflectance technique (PR) since its theoretical foundation to some applications. The PR is a non destructive modulation technique and does not require previous sample preparation. It has been employed to study semiconductor electronic structure and to determine the critical points energy which gives information of strain in the sample, among other.

REACTOR DE FILAMENTO CALIENTE EN LA PRODUCCIÓN DE PELÍCULAS DE CARBÓN CON LA TÉCNICA CVD

Se diseno y construyo un reactor de filamento caliente (HF) para producir peliculas de carbon por la tecnica de deposito quimico en fase vapor (CVD). Esta tecnica se puede implementar con diferentes tipos de substratos. La caracterizacion de las peliculas de carbon se realizo utilizando difraccion de Rayos X y Microscopia de Fuerza Atomica (AFM). El objetivo del crecimiento de las peliculas es mostrar que este reactor es viable para este tipo de estructuras de carbon donde se pueden obtener las diferentes fases alotropicas. Las muestras de peliculas de carbon mostraron que bajo las condiciones de experimentacion en el reactor, una de los grandes inconvenientes es el control de manera muy precisa del vacio residual y la relacion entre los gases CH4/H2. Tambien se requiere de un filamento de punto de fusion alto con un posible apantallamiento electrico para que impurezas que salen de este no se depositen en el substrato.

Conductividad AC y procesos de relajación en Nd0.5Ca05MnO3

Presentamos resultados de medidas de conductividad utilizando la tecnica de espectroscopia de impedancias (IE) en el rango de frecuencia de 5 Hz a 100 kHz y por debajo de la temperatura ambiente para el compuesto policristalino Nd0.5Ca0.5MnO3. Este compuesto presenta usualmente una transicion de metalaislante cuando este es enfriado por debajo de la temperatura de Curie, fenomeno asociado al ordenamiento de carga (CO), siendo este un ordenamiento espacial real de los cationes Mn+3/Mn+4 en sub-redes alternadas. Medidas de la parte real de la conductividad en funcion con la frecuencia, σ`(ω), para diferentes temperatura, mostraron una dependencia de tipo potencial para la region de alta frecuencia, usualmente denominado ley universal de Jonscher`s, Aωn, siendo A y n parametros ligeramente dependientes de la temperatura. Este comportamiento evidencia que la conduccion en estos sistemas son termicamente activados. Es decir, la frecuencia de intento de salto de los portadores que intervienen en la conduccion es funcion de la temperatura, ωp(T). Por otro lado, en el formalismo de modulo dielectrico M*, revelo que la conductividad ac presenta un de tipo no -Debye para el rango de temperatura 230 – 290K.

ESTUDIOS POR FOTORREFLECTANCIA Y AUGER DE LA REACTIVIDAD DE PELICULAS DE CdTe SOMETIDAS A FLUJOS DE Zn o Se

It presents the results obtained of the optical characterization by means of Photoreflectance and Auger of CdTe/GaAs(001) heterostructures grown by molecular beam epitaxy (MBE). CdTe films were grown on GaAs substrates with thickness around 100 A. each one of these films was exposed to a Zn or Se flux separately. The changes in the lineshape of the photoreflectance, as well as the increase in the critical points E0 and E0+∆0 intensity in GaAs spectums are indicating the reactivity in the CdTe/GaAs- hetreroestructure surface.