H. Holleck

Die Phasen Nb3Ga2, Ta5Ga3 und Ta5Al3Bx

Die Phasen Nb3Ga2, Ta5Ga3 und Ta5Al3Bx werden aus den Komponenten hergestellt. Nb3Ga2 kristallisiert im U3Si2-Typ, Ta5Ga3 hat Cr5Br3-Struktur (T 2) und Ta5Al3Bx ist mit Mn5Si3 (teilweise aufgefullt) isotyp.

Die Kristallstruktur von V3Al und sein Mischungsverhalten mit isotypen Phasen

Im Bereich der homogenen Mischphase V1,00–0,47Al0,00–0,53 wird die metastabile Kristallart V3Al erfast. V3Al besitzt Cr3O-Struktur (β-Wolfram-Typ). Luckenlose Mischreihen von V3Al mit V3Sb und Nb3Sn werden nachgewiesen. Unter gleichen Bedingungen, Homogenisierung bei 1000 und 1100°C, treten dagegen mit V3Si, V3Ge und Nb3Al Mischungslucken auf.

Intermetallische Phasen mit β-Wolfram-Struktur (V3Pb, Nb3Pb und V3Cd)

Neue Phasen mit β-Wolfram-Struktur (Cr3O-Typ) werden in den Systemen V−Pb, Nb−Pb und V−Cd hergestellt und deren Gitterparameter bestimmt.

Untersuchungen im System Vanadin-Germanium

Pulvermetallurgisch hergestellte Proben im Zweistoff V-Ge werden rontgenographisch untersucht. Die Existenz der Phase V3Ge mit β-Wolfram-Typ wird bestatigt; vier weitere Phasen werden nachgewiesen. V5Ge3 tritt sowohl im D88- wie auch im T1-Typ auf; eine Phase der ungefahran Zusammensetzung V3Ge2 ist strukturell eng verwandt mit Cr3Ge2. Eine Germanium-reiche Kristallart scheint einem Digermanid zuzukommen, ist jedoch nicht strukturgleich mit den bekannten Disilicidtypen.

Die Verbindungen RuGa und RuGa2

Bei Un te r suchungen im l ~ u G a S y s t e m die Legierungen wurden aus den K o m p o n e n t e n in Quarzampul l en bei 1000 ~ C (170 Stdn.) hergeste l l t konn t en die Kr i s t a l l a r t en R u G a und l~uGa2 sowie eine Ga-reiche Phase isoliert werden. RuGa. Auf Grund yon P u l v e r a u f n a h m e n ergibt sich ffir l~uGa der CsC1-Typ, wie Tab. 1 u n m i t t e l b a r e rkennen l~Bt. Der G i t t e r p a r a m e t e r s teh t mi t : a = 3,010 A in gu te r Ube re ins t immung mi t ]enen der chemisch verwand~en und i so typen Verb indungen I~hGa einerseits und RuA1 andrer -

Die Kristallstruktur von ThGa2 und RuIn3

Im System: Th-Ga wird die Phase ThGa2 mit α-ThSi2-Typ aufgefunden, im System: Ru-In werden die Phasen RuIn3 mit CoGa3-Struktur sowie eine Ru-reiche Phase mit hexagonal dichter Packung machgewiesen.

Über das Mischungsverhalten von Nb3Sn mit Ti3Sn, Mo3Al und verwandten Phasen

Nb3Sn und Mo3Al bilden eine luckenlose Mischreihe. Nb3Sn lost bei 1600°C rd. 60 Mol% Ti3Sn, 30 Mol% Zr(3)Sn, 40 Mol% Hf(3)Sn bzw. 50 Mol% Nb(3)Si.

Der Dreistoff: Vanadium-Silicium-Germanium

V-Si-Ge-Legierungen werden aus den Komponenten hergestellt und rontgenographisch untersucht. V3Si und V3Ge bilden eine luckenlose Mischreihe. Ebenso gehen die T1-Phasen V5Si3 und V5Ge3 homogen uber, was auch fur die C-stabilisierten Phasen mit teilweise aufgefullter Mn5Si3-Struktur gilt. V11Ge8 lost praktisch kein Silicid und steht mit V5(Si, Ge)3 und (Ge, Si)-Mischkristall im Gleichgewicht. Im Disilicid erfolgt ein Si/Ge-Austausch bis etwa 1∶1 (1000°C Homogenisierungstemp.). Bei dieser Temp. tritt nach kurzen Gluhzeiten das sogenannte Digermanid (V17Ge31) noch nicht in Erscheinung.

Das Mischungsverhalten von Nb3Sn mit Mo3Si, Mo3Ge und Nb3Ge

Mittels homogenisierter Sinter-und Schmelzproben wird die Bildung von luckenlosen Mischreihen zwischen Nb3Sn mit Mo3Si, Mo3Ge und Nb3Ge nachgewiesen.

Ein Beitrag zu hochschmelzenden Systemen

Der Dreistoff: U−Zr−B wird durch rontgenographische Untersuchungen in seinem Aufbau studiert. Es besteht keine ternare Verbindung, doch bilden UB12 und ZrB12 eine luckenlose Mischreihe. UB2 lost etwa 10 Mol% ZrB2. Die thermischen Ausdehnungskoeffizienten von TaB2, MoAlSi, Mo (Al, Si)2 und Mo3(Al, Si) werden durch Messung der Gitterparameter ermittelt.