Karlheinrich Horninger

Design Strategies for VLSI Logic

Some typical problems of VLSI circuits and their solutions with the help of architectural concepts, circuit design and process technology are presented. These principles are demonstrated on two experimental chips fabricated in a research process line. Regular structures for the control part of a VLSI processor are described in more detail.

Entwurfstechnik für integrierte MOS-Schaltungen

Die Entwicklung und Herstellung einer integrierten Schaltung von der Idee oder Spezifikation bis zum realisierten und gekapselten Chip last sich in mehrere Arbeitsablaufe unterteilen. Diese sind der Reihe nach: 1 — Produktdefinition, Datenblatt 2 — Entwicklung, Berechnung und Optimierung der elektrischen Schaltung 3 — Geometrischer Entwurf (Layout) der Schaltung 4 — Herstellung der Masken 5 — Herstellung der Schaltung mit Hilfe der Masken 6 — Montage und Prufung der Schaltung In diesem Kapitel werden die Punkte 2 und 3, im nachsten Kapitel der Punkt 6 beschrieben, wahrend die Punkte 4 und 5 schon in fruheren Kapiteln behandelt wurden. Punkt 1 (Produktdefinition) hangt von den speziellen Eigenschaften des Schaltkreises ab, und es wird hier nicht naher darauf eingegangen.

An 8kbit RAM + I/O Peripheral Circuit for Microprocessors

An 8 kbit RAM + I/O peripheral circuit for microprocessors has been realized in a scaled NMOS single-layer poly technology. Cycle time is 250 ns, counter frequency is 10 MHz, chip size is 27.6 mm2 and the supply current is approx. 200 mA, with 5 V supply voltage.

Readout Methods and Readout Circuits for Dynamic Charge-Storage Elements

Progress in the field of digital semiconductor memories in the last few years has been characterized by an extremely rapid rise in the storage density, i.e. in the number of information bits per unit area of silicon. Along with the progressive technological improvements, the key to this turbulent development was the principle of dynamic charge storage. This principle involves the storage of mobile charge at the Si-SiO2 interface. Depending on whether a small or large number of charges are stored, a binary “1” or “O” is present in the memory cell.