Trong công nghệ điện hóa ngày nay, kính hiển vi điện hóa quét (SECM) giống như một người quan sát thầm lặng, nhưng nó có thể tiết lộ những hành vi tinh tế của giao diện lỏng-rắn, lỏng-khí và lỏng-lỏng. Kể từ khi công nghệ này được Allen J. Bard, một nhà điện hóa học tại Đại học Texas, đánh giá ban đầu vào năm 1989, SECM đã dần hoàn thiện và được sử dụng rộng rãi trong hóa học, sinh học và khoa học vật liệu. Xuất sắc trong nghiên cứu.
Thành công của SECM bắt nguồn từ khả năng độc đáo của nó trong việc liệt kê chính xác các tín hiệu điện hóa ở cấp độ nano.
SECM có khả năng thu được dữ liệu về hành vi điện hóa cục bộ bằng cách di chuyển chính xác đầu cực siêu vi điện cực (UME) trên một chất nền cụ thể. Những dữ liệu này được diễn giải theo khái niệm dòng điện giới hạn khuếch tán và được sử dụng để tạo ra hình ảnh về phản ứng bề mặt và động lực học hóa học. Công nghệ này không chỉ cung cấp thông tin về cấu trúc bề mặt mà còn khám phá khả năng phản ứng bề mặt của các hệ thống như vật liệu trạng thái rắn, chất xúc tác điện và enzyme.
Sự xuất hiện của các điện cực siêu nhỏ là chìa khóa cho sự phát triển của công nghệ SECM. Ngay từ năm 1980, UME đã bắt đầu đặt nền móng cho các kỹ thuật phân tích điện nhạy cảm. Năm 1986, Engstrom đã thực hiện thí nghiệm đầu tiên giống SECM, cho phép quan sát trực tiếp các phản ứng và các chất trung gian tồn tại trong thời gian ngắn. Sau đó, Giáo sư Bader đã củng cố thêm cơ sở lý thuyết của kỹ thuật này vào năm 1989 và sử dụng thuật ngữ "kính hiển vi điện hóa quét" lần đầu tiên để mô tả công dụng của nó.
Khi cơ sở lý thuyết của SECM tiếp tục phát triển, số lượng ấn phẩm hàng năm tăng từ 10 lên khoảng 80 vào năm 1999, đồng thời chứng kiến sự ra mắt SECM thương mại đầu tiên trên thị trường.
Nguyên lý hoạt động cơ bản của SECM là thay đổi điện thế trong dung dịch chứa cặp oxy hóa khử thông qua đầu UME. Ví dụ, trong trường hợp cặp oxy hóa khử sắt(II)/sắt(III), khi có điện thế đủ âm, (Fe3+) bị khử thành (Fe2+), tạo ra dòng điện giới hạn khuếch tán. Khi được sử dụng để phát hiện bề mặt mục tiêu, khi đầu UME dần dần tiếp cận bề mặt, dòng điện được đo cũng thay đổi, tạo thành "đường cong tiếp cận" tương ứng.
SECM được sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực, chẳng hạn như phát hiện phản ứng bề mặt và cấu trúc của vật liệu trạng thái rắn, sàng lọc chất xúc tác điện, nghiên cứu hoạt động của enzyme và vận chuyển động của màng tổng hợp/tự nhiên. Độ phân giải cao và phản ứng tức thời khiến công nghệ SECM trở nên lý tưởng cho các nghiên cứu chuyên sâu về vật liệu mới và hệ thống sinh học.
Công nghệ SECM có thể tiết lộ động lực truyền hóa chất mà trước đây không thể tiếp cận được, dù là ở giao diện lỏng/rắn hay giao diện lỏng/khí, và chắc chắn là một công cụ quan trọng trong hóa học hiện đại.
Về mặt cấu trúc vi mô, SECM cung cấp khả năng hỗ trợ mạnh mẽ cho các hoạt động tạo mẫu bề mặt và chế tạo vi mô. Ví dụ, SECM có thể loại bỏ hóa chất cục bộ bằng cách áp dụng thế oxy hóa hoặc khử gần bề mặt. Ưu điểm của kỹ thuật này là khả năng thu thập thông tin thời gian thực về hành vi điện hóa của bề mặt trong khi quá trình chế tạo vi mô đang diễn ra.
Với sự phát triển liên tục của công nghệ siêu vi điện cực, SECM được kỳ vọng sẽ cung cấp độ phân giải không gian và thời gian cao hơn trong nghiên cứu các chấm lượng tử, vật liệu nano và mẫu sinh học trong tương lai. Điều chúng ta có thể mong đợi là công nghệ hấp dẫn này sẽ vượt qua những hạn chế hiện tại và tiếp tục mở rộng ranh giới của nghiên cứu điện hóa như thế nào?