Anand Portland Murthy

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Featured researches published by Anand Portland Murthy.

Archive | 2006

CMOS Transistsorübergangsbereiche, die durch ein CVD Ätzen gebildet sind und Ablagerungsabfolge CMOS Transistsorübergangsbereiche formed by a CVD etching and deposition sequence

Glenn Beaverton Glass; Michael Aloha Hattendorf; Anand Portland Murthy; Jeffrey Tigard Wank; Andrew Beaverton Westmeyer

Archive | 2006

Herstellungsverfahren für CMOS Transistsorübergangsbereiche, die durch ein CVD Ätzen gebildet sind und eine Ablagerungsabfolge in ein und derselben Kammer A method for manufacturing CMOS Transistsorübergangsbereiche formed by a CVD deposition and etching sequence in one and the same chamber

Glenn Beaverton Glass; Michael Aloha Hattendorf; Anand Portland Murthy; Jeffrey Tigard Wank; Andrew Beaverton Westmeyer

Archive | 2006

CMOS Transistsorübergangsbereiche, die durch ein CVD Ätzen gebildet sind und Ablagerungsabfolge

Glenn Beaverton Glass; Michael Aloha Hattendorf; Anand Portland Murthy; Jeffrey Tigard Wank; Andrew Beaverton Westmeyer

Archive | 2006

Herstellungsverfahren für CMOS Transistsorübergangsbereiche, die durch ein CVD Ätzen gebildet sind und eine Ablagerungsabfolge in ein und derselben Kammer

Glenn Beaverton Glass; Michael Aloha Hattendorf; Anand Portland Murthy; Jeffrey Tigard Wank; Andrew Beaverton Westmeyer

Archive | 2006

CMOS Transistsorübergangsbereiche formed by a CVD etching and deposition sequence

Glenn Beaverton Glass; Michael Aloha Hattendorf; Anand Portland Murthy; Jeffrey Tigard Wank; Andrew Beaverton Westmeyer

Archive | 2006

Manufacturing method for CMOS Transistsorübergangsbereiche formed by a CVD etching and deposition sequence in one and the same chamber

Glenn Beaverton Glass; Michael Aloha Hattendorf; Anand Portland Murthy; Jeffrey Tigard Wank; Andrew Beaverton Westmeyer

Archive | 2004

Verfahren zur Herstellung einer CMOS-Vorrichtung sowie CMOS-Vorrichtung mit Strained-Transistor-Integration für CMOS A method of manufacturing a CMOS device as well as CMOS device with strained transistor integration for CMOS

Boyan Portland Boyanov; Robert Beaverton Chau; Brian Portland Doyle; Anand Portland Murthy

Archive | 2004

Verfahren zum Verbessern der Transistorleistung durch Reduzieren des Salizidgrenzflächenwiderstandes

Boyan Portland Boyanov; Glenn Beaverton Glass; Thomas Hoffmann; Anand Portland Murthy

Archive | 2004

Verfahren zum Verbessern der Transistorleistung durch Reduzieren des Salizidgrenzflächenwiderstandes und Transistor A method for improving transistor performance by reducing the transistor and Salizidgrenzflächenwiderstandes

Boyan Portland Boyanov; Glenn Beaverton Glass; Thomas Hoffmann; Anand Portland Murthy

Archive | 2004

Verfahren zum Verbessern der Transistorleistung durch Reduzieren des Salizidgrenzflächenwiderstandes A method for improving transistor performance by reducing the Salizidgrenzflächenwiderstandes

Boyan Portland Boyanov; Glenn Beaverton Glass; Thomas Hoffmann; Anand Portland Murthy

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Collaboration

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Top Co-Authors

Glenn Beaverton Glass

Intel

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Top Co-Authors

Andrew Beaverton Westmeyer

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Top Co-Authors

Jeffrey Tigard Wank

Intel

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Top Co-Authors

Michael Aloha Hattendorf

Intel

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Top Co-Authors

Thomas Hoffmann

Intel

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Top Co-Authors

Robert Beaverton Chau

Intel

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Top Co-Authors

Brian Portland Doyle

Rafael Advanced Defense Systems

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Top Co-Authors

Brian Portland Doyle

Rafael Advanced Defense Systems

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